• Главная
• Юридпсихология
• Этика эстетика
• Электротехника
• Эктеория
• Физика
• Управление персоналом
• Уголовный процесс
• Уголовное право
• Схемотехника
• Стратегический менеджмент
• САПР
• Ресторанно-гостиничный бизнес бытовое обслуживан
• Реклама и PR
• Режущий инструмент
• Неопределено
• Метрология
• Матметоды в эк-ке
• Исторические личности
• Искусство и культура
• Информатика
• Иностранные языки
• Гражданское процессуальное право
• Гражданское право
• Государственное регулирование и налогообложение
• Сонник
• Карта сайта

Разработка источников диффузионного легирования для производства кремниевых солнечных элементов
Данный раствор наносился на полупроводниковые пластины кремния методом центрифугирования. После нанесения раствора пластины помещались на электропечь для удаления растворителя. Далее проводился диффузионный отжиг при температуре 950°С. После проведения процесса диффузии на поверхности пластин кремния образовывалась цветная пленка фосфоросиликатного стекла. Опыт показал, что p – n переход в полупроводниковой пластине кремния при использовании данного источника примеси получится только в том случае, если после диффузии на поверхности пластин образуется цветная пленка. Окрашивание после шлифовки лунок удобно проводить в смеси плавиковой и азотной кислот. При этом в раствор плавиковой кислоты необходимо добавить несколько капель разбавленной азотной кислоты. В результате на поверхности пластины кремния ободок у лунок потемнеет и можно под микроскопом легко определить хорду. Для исследований источника были взяты четыре образца кремния p-типа с удельным сопротивлением ρ = 7 Ом∙см, ориентации (111). После нанесения источника описанным способом данные образцы выдерживались в диффузионной печи заданное время. Далее в таблице 3.2 приводятся результаты по определннию глубины залегания p – n перехода.     Таблица 3.2. Зависимость глубины залегания p – n перехода от времени проведения диффузии для источника на основе ортофосфорной кислоты
№ образца	Температура,°С	Время диффузии, мин	Li, мкм	xji, мкм	Среднее значение xj, мкм
1	950	20	190	0,340	0,35
			195	0,359
			200	0,377
			190	0,340
			195	0,359
2		40	240	0,543	0,55
			240	0,543
			240	0,543
			245	0,566
			245	0,566
3		60	270	0,688	0,69
			265	0,663
			270	0,688
			275	0,713
			270	0,688
4		80	295	0,820	0,83
			295	0,820
			295	0,820
			300	0,849
			295	0,820

По результатам, приведенным в таблице 3.2, можно построить график зависимости xj от времени диффузии.

Рис. 3.2. Зависимость глубины залегания p – n перехода от времени проведения диффузии (Т=950°С).

3.3. Исследование твердого планарного источника на основе нитрида бора

Диффузия с использованием твердого планарного источника носит также название диффузии из параллельного источника, так как  полупроводниковые пластины кремния и твердый источник размещаются параллельно друг другу.

Для исследований был взят кремний n-типа (111) с удельным сопротивлением ρ = 2 Ом∙см.

Особенностью твердого планарного источника на основе BN является то, что перед проведением процесса диффузии его необходимо окислить, чтобы на поверхности образовался тонкий слой B2O3. Во время  проведения процесса диффузии пары B2O3 переходят в газовую фазу, реагируют с кремнием с образованием слоя боросиликатного стекла, из которого уже и идет диффузия бора в кремний.

Окисление твердого планарного источника на основе нитрида бора проводилось в диффузионной печи в атмосфере воздуха при температуре 950°С в течение 40 – 60 мин.

Расстояние между пластинами кремния и твердым источником нитрида бора выбиралось равным 1 –1,5 мм.

Диффузия проводилась в  диффузионной печи в атмосфере воздуха, где пластины с источником выдерживались заданное время. Для исследований было взято двенадцать образцов, чтобы выявить зависимость глубины залегания p – n перехода не только от времени проведения, а также и от температуры проведения процесса.

Результаты по испытанию твердого планарного источника на основе нитрида бора приведены в таблице 3.3.

Таблица 3.3.

Зависимость глубины залегания p – n перехода от времени проведения диффузии для ТПИ на основе нитрида бора

№ образца

Температура,°С

Время диффузии, мин

Li, мкм

xji, мкм

Среднее значение xj, мкм

1

920

20

145

0,198

0,2

145

0,198

150

0,212

145

0,198

150

0,212

2

40

180

0,396

0,32

185

0,323

190

0,345

180

0,306

180

0,306