4POCl3
+ 3O2 → P4O10 +6Cl2,
P4O10
+ 5Si → 4P + 5SiO2.
Дополнительное
окисление кремния будет вызываться кислородом, находящимся в газовой смеси.
Двуокись кремния, реагируя с P4O10, будет образовывать
фосфорно-силикатное стекло, из которого и будет идти диффузия в кремний. Как и
при диффузии в двухзонных печах, наилучшая однородность будет достигаться при
насыщении стекла фосфором и при достаточно высокой поверхностной концентрации
фосфора в кремнии. Также было установлено, что при высоких температурах и сравнительно
высоких (~ 0,2 – 0,3 %) концентрациях POCl3, когда получаются низкие значения ρs, результаты наиболее
воспроизводимы и меньше всего зависят от содержания кислорода. При малых
концентрациях POCl3 (порядка 0,02 %) и при низких
температурах зависимость результатов от содержания O2 довольно резкая, но зато имеется
возможность получать ρs порядка нескольких сотен Ом на
квадрат. Следует отметить, что во избежание повреждения поверхности кремния в
процессе диффузии POCl3 целесообразно пропускать не сразу, а
через небольшое время после начала пропускания азота с кислородом.
Альтернативным
жидким источником для диффузии фосфора является трибромид фосфора PBr3, который имеет превосходные
геттерирующие свойства, по сравнению с POCl3, и рабочую температуру 170°С.
К жидким
источникам для диффузии бора относятся триметилборат (CH3O)3B и
трехбромистый бор BBr3, которые окисляются с образованием B2O3. BBr3 – галоген и может служить
одновременно геттером металлических примесей в процессе диффузии. Схема
установки для диффузии бора из BBr3 такая же, как на рис. 1.2.
Скорость потока N2 над BBr3 равна нескольким кубическим сантиметрам в минуту, а общая
скорость газового потока около 1 л/мин [6]. Добавляемое количество O2 невелико, несколько десятков кубических
сантиметров в минуту, но, как и при диффузии фосфора из POCl3, отсутствие O2 может привести к нежелательным
последствиям – в данном случае к появлению на поверхности кремния нерастворимых
налетов черного цвета. Однако при использовании BBr3, как и любого другого галогенного источника, возможно
образование ямок травления, если завышена концентрация паров BBr3 или концентрация кислорода в потоке
газа мала. Другим недостатком является возможность засорения газовой системы
порошкообразной B2O3, а в результате –
невоспроизводимость значений поверхностной концентрации [3].
К преимуществам
метода диффузии из жидких диффузантов следует отнести то, что его осуществление
просто и что не требуется второй высокотемпературной зоны. Кроме того, метод
позволяет осуществлять непрерывным образом процесс, несколько напоминающий
двухстадийную диффузию (когда поток POCl3 или BBr3 пропускается над кремнием только в
течение части процесса). Этот процесс нельзя считать обычной двухстадийной
диффузией, так как перед второй стадией с поверхности не удаляется
фосфорно-силикатное или боро-силикатное стекло. Метод позволяет осуществить
процесс в замкнутой системе и не требует частой смены источника.
1.1.3. Газообразные источники
Диффузия примесей
в кремний может также осуществляться из газообразных источников – гидридов
фосфора, бора и мышьяка – фосфина PH3, диборана B2H6 и арсина AsH3, а также из BCl3.
Схема установки
для диффузии фосфора с использованием фосфина напоминает схему на рис. 1.2 с
той разницей, что источником диффузанта служит не поток газа носителя,
пробулькивающий или проходящий над жидким источником, а баллон, содержащий
смесь PH3 и инертного газа, например аргона. В
качестве газа-носителя может использоваться азот в смеси с кислородом.
Систематическое изучение результатов диффузии при различных температурах в
зависимости от концентрации фосфина и кислорода показало слабую зависимость
результатов от этих величин в довольно широких пределах [6]. В процессе
диффузии из фосфина идут, по-видимому, следующие реакции :
2PH3 → 3H2 + 2P (в трубе);
4P + 5O2 → 2P2O5 (в трубе);
2P2O5 + 5Si → 5SiO2 + 4P (непосредственно на поверхности Si).
Образующийся
водород, соединяясь с кислородом, дает пары воды, образующей с P2O5 ортофосфорную кислоту. Так как и она достаточно летуча и
хорошо реагирует с кремнием, это, по всей видимости, не сказывается на
результатах диффузии. Диффузия из фосфина позволяет воспроизводимо получать
ρs от 0,2 до 200 Ом/ٱ (в диапазоне температур 800 –
1200°С и объемных концентраций PH3 от 0,05 до 2%), а при более
низкой температуре 750°С и при содержании кислорода 50% и фосфина 0,1%
возможно получение ρs
около 1000 Ом/ٱ [6] К недостаткам данного
метода диффузии фосфора является затрудненная регулировка концентрации фосфора,
так как стенки из кварцевого стекла поглощают некоторое количество P2O5 из газа-носителя в течение каждого процесса диффузии, что
образует дополнительный источник примеси [7].
Диффузия бора из диборана осуществляется
аналогично диффузии фосфора из фосфина. Диборан подается в смеси с аргоном и
дальше перед поступлением в рабочую трубу смешивается с азотом и сухим
кислородом. При проведении процесса диффузии имеют место следующие реакции:
B2H6 → 2B + 3H2 (в потоке газа);
4B + 3O2 → 2B2O3 (в потоке газа);
Si + O2 → SiO2 (на поверхности кремния);
SiO2 + B2O3 → B2O3∙SiO2 (стекло на поверхности окисла);
2B2O3 + 3Si → 3SiO2 + 4B (на поверхности кремния).
Помимо этого, в
процессе диффузии образуется вода, несколько ускоряющая рост пленки окисла, но
делающая его не столь прочным, так что после диффузии облегчается снятие
боросиликатного стекла [6]. Среди факторов, определяющих в этом методе поверхностную концентрацию
бора, следует отметить условия, связанные с потоком газа: его состав, скорость
течения, характер течения (ламинорный или турбулентный) и температуру процесса.
Непосредственно на поверхностную концентрацию влияют толщина и состав
боросиликатного стекла, скорость диффузии через него B2O3 и т.п. Но все эти параметры определяются названными
факторами. При изменении объемной концентрации B2H6 от 1 до 50∙10−4 %
и температуры от 1050 до 1250°С поверхностная концентрация бора может меняться
от 1017 см–3 до предельной. Довольно резко зависит
поверхностная концентрация и от скорости общего потока газа. Если говорить об
однородности результатов, то имеется разброс (увеличение поверхностного
сопротивления) по ходу течения газа. Однако все же этот метод позволяет
получить малый разброс поверхностного сопротивления в широком интервале
поверхностных концентраций.
Диборан используется разбавленным
на 99 % по объему. Так как продуктом реакции окисления при 300°С в кислороде
является только вода, то дефектов типа ямок травления не образуется. Для
захвата неиспользованного газа на входе в трубу устанавливают ловушку с
концентрированной соляной кислотой [3]. Если вместо кислорода использовать
углекислый газ, то на стадии загонки примеси при низкой температуре (800 –
900°С) можно достичь высокой поверхностной концентрации бора:
B2H6 + CO2 → B2O3
+ 6CO + 3H2O.
Поскольку CO2 более слабый окислитель, чем
кислород, в процессе диффузии кремний окисляется в меньшей степени и,
следовательно, образующийся SiO2 меньше маскирует поверхность
кремния от атомов бора.
При работе с
дибораном необходимо тщательно следить за герметичностью трубопроводов
диффузионной установки. Диффузию следует проводить при работающей вытяжной
вентиляции и постоянно контролировать концентрацию диборана в атмосфере
рабочего помещения.
Трихлорид бора BCl3, как и трибромид бора, может вызвать травление поверхности
кремния. На практике значительно сложнее получить равномерное легирование
пластин по длине лодочки с применением BCl3, чем BBr3. Это обусловлено тем, что в
аналогичных условиях реакция окисления BCl3 длительная (~100 с), а BBr3 – короткая (~3 с). Следовательно, BBr3, быстро окислившись до B2O3, может служить источником бора еще до того, как передний
край лодочки с пластинами попадает в рабочую зону. Реакция окисления BCl3 ускоряется в присутствии паров воды,
поэтому вместе с кислородом в газовый поток добавляют незначительное количество
водорода [3].
По поводу методов
диффузии из газообразных источников можно сделать одно общее замечание: при
слишком малом содержании O2 в газовой смеси на поверхности могут
образовываться трудно устранимые пленки.
Достоинства методов диффузии из
газообразных диффузантов те же, что и в случае диффузии из жидких источников, и
недостаток тот же – токсичность исходных диффузантов.
1.1.4.
Твердые
источники
Наиболее
распространенными твердыми источниками диффузии бора в кремний являются окись
бора B2O3 и борная кислота H3BO3 (обе в виде порошка), которые разлагаются при 200°С с
образованием B2O3 и H2O. Эффективное испарение B2O3 начинается с 770 – 800°С, а максимальная температура, до
которой обычно нагревают B2O3, равна 1200°С. Источник диффузанта
необходимо вводить в печь медленно, чтобы предотвратить его вскипание и
вытекание из контейнера и загрязнение самого реактора, который в этом случае
становится дополнительным источником примеси. Элементарный металлический бор
обычно непригоден для диффузии в потоке газа из-за низкого давления его паров
[7].
Диффузию бора в
полупроводниковый материал с использованием борной кислоты проводят в открытой
трубе в двухзонной печи или в контейнере в атмосфере воздуха. После проведения
диффузии на поверхности полупроводниковых пластин образуются пленки, стойкие к
кислотам и щелочам. После диффузии эту пленку удаляют механическим способом
[8].
В качестве
твердого источника фосфора обычно используется безводная пятиокись фосфора P2O5 [7]. Температура ее испарения должна поддерживаться в
интервале 215 – 300°С, так как при более высоких температурах испарение
полностью происходит за слишком короткое время, а при более низких температурах
значения концентрации плохо воспроизводимы. Применяются и другие соединения,
содержащие фосфор, например, фосфат аммония NH4H2PO4, однако конечной стадией в обоих
случаях является взаимодействие паров P2O5 с поверхностью кремниевой подложки:
2 P2O5 + 5Si ⇄ 4P + 5SiO2.
Образующееся фосфоросиликатное стекло (ФСС) – жидкость при температуре
диффузии.
Использование одно- и двухосновных
фосфатов аммония требует более высоких, чем для P2O5, температур источника (450 – 900°С). Они
также менее чувствительны к влаге, в этом их главное преимущество над P2O5 .
Элементарный
красный фосфор применяется редко. Давление его паров непостоянно, поэтому
воспроизводимость поверхностной концентрации низкая.
Рис. 1.3. Диффузия в потоке
газа-носителя из твердого источника
Наивысшей производительностью
диффузия из твердых источников осуществляется в проточной системе (рис. 1.3).
Этот способ диффузии осуществляется в инертной среде, благодаря чему параметры
легирования не зависят от кинетики химической реакции, однако метод требует
специальных печей (печей с двухзонным профилем температуры), а его
воспроизводимость определяется распределением температур и скорости
газа-носителя [4, 5].
К недостаткам
диффузии из раздельных твердых источников можно также отнести недостаточную
воспроизводимость значений поверхностной концентрации из-за сложности точного
поддержания концентрации паров источника и из-за изменения площади испарения
при растекании источника, хорошо смачивающего поверхность контейнера. Кроме
того, трудно получить низкие поверхностные концентрации и невозможно провести
отжиг в чистой газовой атмосфере, так как пары источника на всем протяжении
процесса находятся в газовой фазе [5].
1.1.5.
Поверхностные
источники на основе простых неорганических соединений
Исторически на
первом этапе разработки метода диффузии из поверхностного источника для
непосредственного нанесения на поверхность кремниевых пластин были использованы
наиболее простые и доступные неорганические соединения, обладающие достаточной
растворимостью в воде и в этиловом спирте: H3BO3, H3PO4, (NH4)3PO4, B2O3, Al(NO3)3 и т.д. Эта технология
широко применялась в производстве силовых полупроводниковых приборов [9,10].
Растворы кислот или солей распыляют на кремниевые пластины из пульверизатора,
капают из пипетки или наносят методом погружения пластин в раствор. Затем
пластины после кратковременной сушки (для испарения растворителя) подвергаются
высокотемпературной обработке при 1000 ÷ 1300°С для проведения диффузии.
Рассмотрим
источники такого рода, когда в качестве источника бора используется борная
кислота, а в качестве источника фосфора – ортофосфорная кислота. Данные
поверхностные источники использовались в технологии изготовления высоковольтных
таблеточных тиристоров [10].
При использовании
в качестве диффузанта борной кислоты берется спиртовый раствор борной кислоты. Используя центрифугу, на
поверхность пластины наносят слой раствора борной кислоты. После просушивания
пластины загружают в кассету, которую плавно вводят в рабочую зону печи.
Диффузия бора проводится при температуре 1050°С в течение заданного времени.
Далее печь охлаждается до 800°С, после чего выгружается кассета с пластинами.
Создание
электронного слоя с использованием поверхностного источника на основе
ортофосфорной кислоты осуществлялось обычно в два приема. На первой стадии на
одну поверхность пластины наносится две-три капли водного или спиртового
раствора ортофосфорной кислоты, которые разгоняют по пластине с помощью
центрифуги. Пластины высушивают и помещают в диффузионную установку, нагретую
до температуры около 1050°С, на 20 – 30 мин (в зависимости от поверхностной
концентрации акцепторов). После этого пластины извлекают из диффузионной
установки, протравливают в плавиковой кислоте, а затем промывают в
деионизованной воде, высушивают и помещают в диффузионную печь, нагретую до
1150 – 1250°С, где выдерживают заданное время.
Эти методы
нанесения диффузанта обладают высокой производительностью, требуют несложного
технологического оборудования. Диффузия проводится в открытой трубе, чаще всего
на воздухе. Данные методы позволяют получать как низкие, так и высокие концентрации
легирующей примеси, причем низкие концентрации – в одноступенчатом режиме без
последующей разгонки. Нанесение диффузанта в виде растворов неорганических
соединений на поверхность кремния дает возможность регулировать поверхностную
концентрацию бора и фосфора в пределах 1017 ÷ 1021
см−3 в основном за счет изменения концентрации раствора.
Однако растворы простых неорганических соединений не обладают пленкообразующей
способностью, и после испарения растворителя на поверхности полупроводниковой
пластины остается тонкий слой закристализовавшегося диффузанта. Поэтому ни
нанесение капель спиртового раствора, ни напыление раствора из пульверизатора
не обеспечивают в итоге однородного по толщине слоя диффузанта, а
следовательно, и строгого контроля количества соединения легирующего элемента в
слое на единице площади поверхности. В результате разброс величины
поверхностного сопротивления при использовании этих источников диффузии
может достигать 200 % и более как в пределах поверхности одной пластины, так и
между пластинами [9].
Для повышения
однородности слоя источника диффузанта рядом авторов было предложено закрепить
атомы легирующих элементов в объеме окиси кремния.
1.1.6.
Стеклообразные диффузанты
В качестве поверхностных источников
диффундирующих примесей (бора, фосфора, галлия, индия, сурьмы) широкое
применение нашли стеклообразные диффузанты – донорные и акцепторные стекла,
обычно состоящие из нескольких электрически активных и неактивных компонентов,
а также инертных наполнителей [11].
К электрически
активным компонентам относятся окислы бора (B2O3), фосфора (P2O5), галлия (Ga2O3), индия (In2O3), таллия (Tl2O3), мышьяка (As2O3), сурьмы (Sb2O3) и лития (Li2O), которые придают необходимый тип проводимости исходным
полупроводникам.
К электрически неактивным
компонентам относятся различные окислы элементов IV группы Периодической системы: кремния (SiO2), германия (GeO и GeO2), олова (SnO),
свинца (PbO и PbO2), а также аллюминия (Al2O3), которые придают диффузанту свойства стекла.
К инертным
наполнителям, которые не имеют заметного влияния на тип проводимости
диффузанта, но позволяют изменять термомеханические свойства стекла, относятся
окислы щелочных, щелочноземельных и редкоземельных металлов: натрия (Na2O), калия (K2O), кальция (CaO), магния (MgO), бария (BaO) и лантана (La2O3). В качестве инертных наполнителей при изготовлении
стеклообразных диффузантов используют также органические материалы в виде
производных винила, которые деполимеризуются при повышенной температуре.
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
|