Меню
Поиск



рефераты скачать СВЧ тракт приёма земной станции спутниковой системы связи

Структурная схема усилителя, представленная на рис.4.3 является простейшей. При необходимости она может быть дополнена другими цепями, например осуществляющими выравни­вание амплитудно-частотной характеристики усилителя (при широкой полосе пропускания).

При расчёте транзисторного усилителя СВЧ следует обра­щать внимание на обеспечение его устойчивости. Устойчивость усилителя определяется S-параметрами транзистора и сопротив­лениями, на которые он нагружен. На сравнительно низких час­тотах транзистор обладает выраженными невзаимными свойст­вами и усилитель на таком приборе работает устойчиво.


В диа­пазоне  СВЧ  транзистор  в   значительной   степени   утрачивает  свойство  невзаимности из-за наличия паразитных обратных свя­зей (как внутренней, так и внешних), поэтому при некоторых сопротивлениях источника сигнала и нагрузки в плоскости тран­зистора усилитель может возбудиться.

Самовозбуждение усилителя возможно лишь в случае, когда резистивная составляющая входного и (или) выходного сопротив­ления транзистора становится отрицательной. Отрицательному резистивному сопротивлению соответствует коэффициент отраже­ния, модуль которого больше единицы. Так, если отрицательной является резистивная составляющая входного сопротивления тран­зистора, то |S'11|>1, а если выходного, то |S'22|>1. Входное сопротивление транзистора зависит от сопротивления его выход­ной нагрузки, а выходное — от сопротивления входной.

 Усилитель считается безусловно устойчивым в заданном диапазоне частот, если он не возбуждается в этом диапазоне при любых сопротивлениях пассивных внешних нагрузок (Z1 и Z2 на рис. 4.3). Если существуют нагрузки, спо­собные привести усилитель к самовозбуждению, то он является условно устойчивым (т.е либо потенциально устойчивым, либо потен­циально неустойчивым, т.е работающим на строго определённую нагрузку и если нагрузка из-за производственного разброса геометрических размеров, характеристик компонентов или изменении условий эксплуатации изменяется, то усилитель может возбудиться). В безусловно устойчивом усилителе резистивные составляющие входного и выходного сопротивлений транзистора должны оставаться положительными при любых нагрузочных сопротивлениях Z1 и Z2 соответственно, если резистив­ные составляющие последних также положительны. Это можно представить в виде |S'11|<1 при |Г2|<1; |S'22|<1 при |Г1|<l.

Можно показать, что для безусловной устойчивости усилителя необходимо и достаточно выполнение следующих соотношений:

                                                                                            (4.1)

где .

Последнее неравенство (4.1) принято записывать  в виде, где параметр

называется коэффициентом устойчивости (отметим, что К-инвариантный коэффициент устойчивости, поскольку не зависит от системы матричных параметров, в которой он определяется). Условие К>1, являющееся необходимым, но недостаточным условием безусловной устойчивости усилителя, означает, что возможно одновременное комплексно-сопряжённое согласование на входе и выходе транзистора. При К<1 транзистор можно согласовать только с одной стороны. Случай К=1 является пре­дельным, когда двустороннее согласование возможно.

Условия безусловной устойчивости иногда записывают в виде:

                                            , ,                                                                       (4.2)

                                           .                                                      (4.3)

Нарушение любого из неравенств (4.2) делает усилитель потенциально неустойчивым, т.е при определённых сопротивлениях источника сигнала или нагрузки он может возбудится. Поэтому целесообразно строить усилители безусловно устойчивые, т.е устойчиво работающие при любой нагрузке.

4.3.4. Расчёт согласующих трансформаторов

 

Расчёт согласующих трансформаторов (входного, межкаскадных, выходного) ведётся для каждого каскада отдельно. Для максимальной передачи мощности сопряжённо согласуется выходной импеданс предыдущего транзистора (или вход­ного генератора) с входным импедансом последующего транзитора или нагрузки. Если есть запас по усилению у транзисторов, то можно каждый каскад согласовы­вать по входу и выходу на  50 Ом, что упрощает изготовление усилителя, так как все каскады одинаковые.

По-видимому, для малошумящего каскада наиболее независимой от производственного разброса параметров транзисторов и пассивной ча­сти усилителя является схема, в которой выход­ное комплексное сопротивление (проводимость) источника сигнала трансформируется в сопря­жённое, оптимальное для данного транзистора в данном режиме комплексное сопротивление, обеспечивающее минимум коэффициента шума в полосе рабочих частот.

Выход и вход транзистора согласуется с нарузками в полосе рабочих частот с учетом из­вестного ограничения Фано, который показал, что коэффициент передачи и ширина частотной полосы взаимосвязаны, если нагрузка имеет ре­активную составляющую. Естественно, что комплексно-сопряжённое согласование возможно только на одной частоте. Поэто­му широкополосные согласующие цепи имеют свойства фильтров,  а для фильт­ров характерны зависимости между частотной полосой, крутизной скатов, потеря­ми в полосе пропускания и КСВ входов.

Для расчёта трансформаторов следует в первую очередь выбрать его струк­туру. Для узкополосных () усилителей можно рекомендовать Т-образ­ную структуру (рис.4.4), так

как параллельный шлейф, закороченный через кон­денсатор на землю, удобно использовать для подачи напряжения смещения  на транзистор. Для широкополосного усилителя () применяют многозвенную цепь, например трёхрезонаторную (рис.4.5).

Рис. 4.4. Структура Т-образного согласующего трансформатора для узкополосных  усилителей.



Рис. 4.5. Схема согласующего трансформатора для широкополосных усилителей:

            1,5 – импедансный инвертор; 2,4 – четвертьволновые резонаторы; 3 – адмитансный инвертор; 6 – индуктив-

             ность последовательного контура; 7-эквивалент входной цепи транзистора


Порядок расчёта каскада следующий :

1. Определяют в заданном частотном диапазоне комплексное сопротивление входной или выходной цепи транзистора и аппроксимируют его в полосе частот простой цепью. Если вещественная часть сопротивления более постоянная, чем вещественная часть проводимости, то нагрузку лучше представить в виде последовательной RLС - цепи. Если более постоянная вещественная часть проводимости, то нагрузку лучше представить в виде параллельной RLC-цепи.

2. При последовательной цепи нагрузки к ней последовательно подключают реактивный элемент так, чтобы получить в ней последовательный резонанс на средней частоте диапазона , например, индуктивность  в схеме на рис. 4.5, величину которой определяют по формуле :

, Гн ,

где – ёмкость входа транзистора.

При аппроксимации входа транзистора последовательным соединением ёмкос­ти и резистивного сопротивления или параллельным соединением индуктивности и резистивной проводимости можно получить согласование фильтром верхних частот, при этом декремент (который используется для определения значений элементов фильтра-прототипа нижних частот) :

,

где  ; ;  и – нижняя и верхняя граничные частоты полосы.

Для получения лучшего согласования реактивный элемент, подключаемый к нагрузке, должен быть более сосредоточенным и располагаться как можно бли­же к нагрузке. Если размеры реактивного элемента достигают четверти волны и более или он расположен на значительном расстоянии от нагрузки, то увеличива­ется добротность резонансной нагрузки и сужается полоса согласования. Число резонаторов схемы согласования п < 4, при увеличении их числа растут потери в схеме согласования. Например цепь с единичным резонатором (п = 1), состоящая из по­следовательно включенной индуктивности L1 и полного сопротивления инвертора K12 при     Свх = 0,57 пФ и Rвх = 21 Ом,  имеет ширину полосы согласования  8,9... 11,1 ГГц при f0 = 10 ГГц . Цепь ФНЧ - прототипа нижних частот с двумя ре­активными элементами (п = 2) можно полу-чить, если добавить один четвертьвол­новой резонатор к резонатору, образованному нагрузкой. Цепь с двумя дополни­тельными четвертьволновьми резонаторами (п = 3) расширяет полосу ( = 6...14 ГГц). Применение в схеме попеременно импедансных и адмитансных ин­верторов позволяет использовать последовательные четвертьволновые резонаторы, которые очень легко реализовать в микроэлектронном исполнении в виде отрезка линии. Для чебышевской аппроксимации АЧХ схема согласования получается в 1,52 раза меньше по габаритным размерам, чем при аппроксимации максималь­но плоской функцией.

Зависимость элементов (нормированных проводимостей) чебышевских со­гласующих цепей от декремента  построена на рис. 4.6.

Параметры схемы согласования (рис. 4.5):

; ; ;

,

Рис. 4.6. Зависимость элементов чебышевских согласующих цепей от декремента  при  ; : а – для   п = 1; б – для п = 2; в – для п = 3


где – волновое сопротивление линии передачи между инверторами.

Для перехода к топологической схеме используют формулы:

;  ;    (при);

;   ,

где – длина волны в линии на частоте ; – волновое сопротивление используемой  линии передачи.

Для получения равномерного усиления в полосе частот применяют простой способ согласования, при котором коэффициент передачи схемы согласования на верхней рабочей частоте диапазона максимальный, а затем уменьшается с определённой скоростью. Выходную цепь транзистора можно представить в виде параллельного сопротивления и ёмкости . Так как транзистор имеет минимальное усиление на верхней частоте диапазона  fв и усиление его растёт при уменьшении частоты со скоростью дБ/октаву, то выходную цепь следует выполнять так, чтобы она имела максимальный коэффициент передачи по мощности на частоте fв, т.е комплексное сопротивление  должно трансформироваться в комплексно-сопряжённое сопротивление нагрузки, а с уменьшением частоты коэффициент передачи должен падать со скоростью дБ/октаву.

Такое согласование на практике удобно выполнять по схеме на рис.4.7, при этом параллельное соединение r’ и x’ пересчитывают в последовательное по следующим формулам:

                 .

 



             

 





Рис 4.7. Эквивалентная схема выходного трансформатора


После этого необходимо скомпенсировать выходную ёмкость на верхней частоте рабочего диапазона с помощью последовательной индуктивности L1, которую выполняют в виде центрального проводника МПЛ или в виде тонкой проволоки, или вывода транзистора:

 или ; 

Затем между выходом индуктивности и нагрузкой включают четвертьволновый трансформатор для верхней частоты рабочего диапазона с волновым сопротивлением . Для создания требующегося перекоса АЧХ согласующей цепи в точку соединения индуктивности L1 и трансформатора параллельно включают резистивное сопротивление , которое закорочено на землю микрополосковой линией l2. Эта длина равна четверти длины волны в линии на верхней частоте, благодаря чему сопротивление  на этой частоте изолировано от заземлённой стороны платы и не поглощает мощность.


4.3.5. Выбор схемы питания

 

Питание ПТШ осуществляется двумя способами: с использо­ванием двухполярного источника напряжения и однополярного – с автосмещением транзистора. Цепь автосмещения R и С является, в последнем случае, цепью отрицательной обратной связи по постоянному току, стабилизирующей параметры ТрУ. Потери шунтирующих конденсаторов ухудшают параметры усили­тельного каскада, особенно с повышением частоты. Учитывая это, в качестве  схемы питания выбираем схему питания с двухполярным источником напряжения, который раздельно питает  цепь затвора и цепь стока ПТШ.


 

 

4.4. Расчёт транзисторного МШУ

 

Расчитаем малошумящий усилитель на выбранном ПТШ со следующими требованиями, предъявляемые к нему исходя из энергетического расчёта радиолинии и распределения усиления по трактам приёмника:

- рабочая полоса частот усилителя:  МГц ;

- средняя частота полосы частот:  МГц ;

- коэффициент шума усилителя: дБ ;

- требуемый коэффициент усиления: дБ ;

- конструкция: гибридно-интегральная.

Расчёт будет производится с использованием на ЭВМ пакета прикладных программ моделирования СВЧ схем Microwave Office 4.02.

 Линейные  параметры  транзистора N76038a представлены в таблицах № 4.1 и 4.2.

 

                                                 Таблица №4.1 Система S-параметров транзистора

F, Ггц

S11

Arg(S11),

град

S21

Arg(S21),

Град

S12

Arg(S12),

град

S22

Arg(S11),град

0,1

0,99

-2

3,29

178

0,006

101

0,63

-2

0,5

0,99

-9

3,29

171

0,013

82

0,63

-16

1,0

0,99

-17

3,25

163

0,020

78

0,62

-12

1,5

0,97

-25

3,25

155

0,030

71

0,61

-19

2,0

0,95

-34

3,22

147

0,040

66

0,60

-24

3,0

0,90

-51

3,15

131

0,060

57

0,58

-35

4,0

0,84

-68

3,07

115

0,080

47

0,54

-46

5,0

0,77

-86

2,97

99

0,090

37

0,50

-58

6,0

0,70

-106

2,83

84

0,100

28

0,45

-70

7,0

0,64

-126

2,66

69

0,110

21

0,41

-81

8,0

0,61

-145

2,51

55

0,110

16

0,37

-92

9,0

0,58

-165

2,37

42

0,110

10

0,33

-104

10,0

0,57

175

2,21

27

0,110

7

0,30

-118

11,0

0,58

156

2,05

15

0,120

3

0,27

-136

12,0

0,60

139

1,87

2

0,120

0

0,27

-157

13,0

0,64

125

1,72

-10

0,120

-1

0,27

-178

14,0

0,67

114

1,57

-20

0,120

-2

0,30

164

15,0

0,71

104

1,45

-32

0,130

-4

0,34

150

16,0

0,74

95

1,32

-41

0,130

-8

0,39

135

17,0

0,77

86

1,19

-52

0,130

-12

0,44

122

18,0

0,78

80

1,09

-61

0,140

-17

0,46

111

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6




Новости
Мои настройки


   рефераты скачать  Наверх  рефераты скачать  

© 2009 Все права защищены.