Одновременно с появлением новых электронов в ионосфере часть
имеющихся электронов исчезает, присоединяясь к положительным и нейтральным
молекулам. При этом образуются нейтральные молекулы и отрицательные ионы.
Процесс воссоединения заряженных частиц и образования нейтральных
молекул называется рекомбинацией.
После прекращения действия источника ионизации электронная
плотность спадает по гиперболическому закону. Поэтому с заходом Солнца ионизация
в нижних слоях ионосферы исчезает не мгновенно, а в верхних слоях —
сохраняется в течение всей ночи.
4.2. Строение ионосферы
Общая картина распределения электронной плотности по
высоте h над земной поверхностью изображена на (рис. 4.1). На высоте 250—400
км, имеется основной максимум ионизации. Область ионосферы ниже основного
максимума ионизации принято называть внутренней ионосферой, а область
ионосферы выше основного максимума — внешней ионосферой. Наиболее
изучена внутренняя ионосфера.
Во внутренней ионосфере существуют несколько неярко выраженных максимумов
концентрации электронов, условно называемых слоями (областями), которые принято
обозначать символами D, E, F1 и F2. Области ионосферы D, Е и F1
обладают достаточно высоким постоянством, проявляющимся в том, что суточный
ход изменения электронной концентрации и высота их расположения сохраняются
почти неизменными. С наступлением темноты из-за быстрой рекомбинации исчезают
области D и F1. В то же время электронная концентрация области Е сохраняет
постоянное значение в течение всей ночи.
В области F2 электронная концентрация и высота расположения
максимума значительно изменяются день ото дня. При этом ионизация различна в
летнее и зимнее время. Зимой (в северном полушарии) электронная концентрация в
этой области увеличивается. Суточный ход электронной концентрации области F2
зависит также от геомагнитной широты (расстояния в градусах дуги от магнитного
экватора Земли до точки наблюдения).
Ионосфера неоднородна и в горизонтальном направлении.
Максимальные горизонтальные градиенты электронной плотности наблюдаются во
время захода и восхода Солнца, но они существенно меньше вертикальных
градиентов.
Наряду с рассмотренными регулярными областями ионосферы иногда на
высоте 95—125 км образуется так называемый спорадический слой Е (слой ), в котором электронная
концентрация в несколько раз превышает концентрацию области Е. Слой в средних широтах чаще
образуется днем в летние месяцы. В полярных же районах слой возникает в основном в ночное
время.
Поскольку солнечное излучение является основным источником
ионизации атмосферы Земли, то от активности Солнца зависит
и процесс ионизации. Замечено, что активность Солнца изменяется с
периодичностью в 11 лет. Критерием солнечной активности служит относительное
число солнечных пятен, которое характеризует площадь поверхности Солнца,
имеющую наиболее высокую температуру. В настоящее время разработаны методы
прогнозирования числа солнечных пятен на много лет вперед и более точно на
ближайшие годы. Прогнозирование числа солнечных пятен важно в связи с
тем, что электронная плотность ионосферы коррелированна со среднемесячными
числами солнечных пятен. Максимум электронной концентрации увеличивается
в 1,4—3 раза при переходе от минимума к максимуму солнечной активности.
Регулярная слоистая структура ионосферы временами нарушается,
причем эти нарушения вызваны изменением деятельности Солнца, наблюдающимся
особенно часто в годы максимума солнечной активности. Происходящие на Солнце
время от времени вспышки являются причиной извержения потоков заряженных
частиц, попадающих в атмосферу Земли и нарушающих нормальный режим ионизации
ионосферы. Структура ионосферы нарушается также под действием процессов,
происходящих в коре Земли и нижних слоях атмосферы, например во время
извержения вулканов.
Рис. 4.1. Распределение электронной
плотности по высоте атмосферы
Изменение ионизации сопровождается изменением
магнитного поля Земли и это явление носит название ионосферно - магнитной
бури. Во время ионосферно-магнитной бури понижается электронная плотность в
области слоя F. Нарушения этого вида могут длиться от нескольких часов до двух
суток и происходят главным образом в приполярных районах.
Временами на Солнце происходят вспышки интенсивного
ультрафиолетового излучения, вызывающего повышенную ионизацию нижней ионосферы
в слое D. Это явление может длиться от нескольких минут до нескольких часов и
происходит только на освещенной стороне земного шара.
Исследования показали, что помимо регулярных и нерегулярных
изменений средних величин электронной плотности в ионосфере происходят
непрерывные флуктуации электронной плотности. В ионосфере непрерывно
происходят сгущения и разряжения плотности ионизации, нерегулярные как во
времени так и от точки к точке. Кроме того, под действием ветров вся неоднородная
структура ионосферы перемещается. Причинами образования неоднородностей в
ионосфере являются турбулентное движение воздуха и неоднородность ионизации.
Неоднородности представляют собой некоторые области с электронной
плотностью, отличной от среднего значения электронной плотности на данной
высоте ионосферы. Размеры неоднородностей на высоте 60—80 км в слое D
составляют до нескольких десятков метров, на высоте слоя E - 200—300
м, а в слое F размер неоднородностей достигает нескольких километров, причем
они имеют продолговатую форму и вытянуты вдоль силовых линий постоянного
магнитного поля.
Отклонение электронной плотности неоднородностей от среднего
значения электронной плотности на данной высоте составляет (0,1
— 1) %; скорость хаотического движения 1—2 м/с.
4.3. Диэлектрическая
проницаемость и проводимость ионизированного газа (плазмы)
Относительная диэлектрическая проницаемость ионизированного газа
отличается от единицы из-за того, что под действием электрического поля
проходящей волны электроны получают смещение относительно равновесного
положения и газ поляризуется. Помимо электронов в ионосфере содержатся ионы и
нейтральные молекулы, совершающие беспорядочное тепловое движение. Сталкиваясь
с тяжелыми частицами, электроны передают им энергию, полученную от
электромагнитной волны. При столкновениях эта энергия переходит в энергию
теплового движения тяжелых частиц, что и приводит к поглощению
радиоволн в ионизированном газе.
Диэлектрическая проницаемость и удельная проводимость ионизированного газа определяются
выражениями
где —
масса электрона (9,109 10-31кг); е — заряд электрона (1,6010-19 Кл); —
число соударений электрона с тяжелыми частицами, происходящее в 1 с,
определяемое тепловым движением частиц; Nэ — электронная плотность, см-3.
Для высоких частот, когда 2>> 2,
можно пренебречь величиной 2 по сравнению с 2. Тогда выражения для c учётом подстановки в них числовых значений e, , , можно
записать:
(4.1)
(4.2)
Используя частоту электромагнитной волны (кГц) формулу для e удобно записать в таком виде:
(4.3)
Это основная расчетная формула для определения относительной
диэлектрической проницаемости ионизированного газа. Очевидно, что при
значительной электронной плотности диэлектрическая проницаемость газа может
оказаться равной нулю.
Частота ,
при которой выполняется условие e
= 0,
(4.4)
называется собственной частотой ионизированного газа или
частотой Ленгмюра и является параметром ионизированного газа, удобным для
оценки условий распространения радиоволн.
Выражение (4.3) можно переписать иначе, пользуясь понятием
собственной частоты ионизированного газа:
(4.5)
При < относительная диэлектрическая проницаемость e оказывается меньше нуля. Это значит, что коэффициент
преломления является
мнимой величиной. В такой среде электромагнитные колебания не
распространяются и быстро затухают.
4.4. Скорость распространения радиоволн в
ионизированном
газе (плазме)
Диэлектрическая проницаемость ионизированного газа меньше единицы
и зависит от частоты колебаний, поэтому и скорость распространения радиоволн
в ионизированном газе зависит от рабочей частоты. Среды, в которых скорость
распространения радиоволн зависит от частоты, называются диспергирующими.
В диспергирующих средах различают фазовую и групповую скорости распространения
радиоволн [2]. Скорость перемещения фронта волны называется фазовой скоростью. Фазовая скорость для
сред, приближающихся по своим свойствам к диэлектрику, определяется (2.6).
Поэтому для ионизированного газа без учета потерь согласно выражению (4.5)
(4.6)
Фазовая скорость волны в ионизированном газе больше скорости
света в свободном пространстве. Однако скорость распространения сигналов не
может быть больше скорости света в свободном пространстве. Сигналы конечной
длительности, содержащие несколько полных периодов колебаний (группа волн),
распространяются с групповой скоростью. Гармонические составляющие сигнала в
диспергирующей среде распространяются с разными фазовыми скоростями, что
приводит к искажению сигнала.
Под групповой скоростью понимают скорость распространения
максимума огибающей сигнала[2]. Групповая скорость связана с фазовой скоростью
соотношением для
ионизированного газа
(4.7)
В случае приближения рабочей частоты к собственной частоте
ионизированного газа (à) групповая скорость уменьшается (à0), а фазовая скорость резко возрастает ().
4.5. Поглощение радиоволн в ионизированном газе
(плазме)
Коэффициент затухания радиоволн в ионизированном газе
определяется по (2.2) с подстановкой в нее значений e из (4.1) и g
из (4.2).
Поглощение радиоволн связано со столкновениями электронов с
молекулами и ионами и переходом электромагнитной энергии в тепловую
энергию движения тяжелых частиц. В этом процессе важно соотношение между
периодом электромагнитных колебаний (T=1/ ) и средним временем между двумя
соударениями электрона с молекулами или ионами . На низких частотах при T> энергия электромагнитной
волны передается от электрона тяжелой частице малыми порциями, при Т< соударения происходят
редко в масштабе периода радиоволны. В том и другом случаях поглощение
мало. При T
наступает явление резонанса между частотой колебаний электрона под
действием электромагнитного поля и тепловым движением частиц, причем
поглощение существенно возрастает. Поэтому частотная зависимость коэффициента
поглощения описывается кривой (рис. 4.2), имеющей максимум в области частоты , близкой к величине , т. е. наблюдается явление
резонанса. В нижних слоях ионосферы 107 1/с и условие =
/ выполняется для волн
длиной около 200 м. Поэтому в диапазоне коротких волн происходит уменьшение
поглощения с повышением частоты, а в диапазоне волн длиннее 200 м поглощение
увеличивается с повышением частоты.
Рис. 4.2. Зависимость коэффициента затухания радиоволн
в ионизированном газе от частоты при
Nэ
= 105 см-3 и
= 10-3
Рис. 4.3. Схема отражения радиоволн от ионосферы
4.6. Преломление и отражение радиоволн в
ионосфере
Заметная электронная плотность появляется в атмосфере начиная с
высоты примерно 60 км. Далее электронная плотность ионосферы меняется с
высотой над земной поверхностью, а следовательно, и электрические свойства
ионосферы неоднородны по высоте.
При распространении радиоволны в неоднородной среде ее траектория
искривляется. При достаточно большой электронной плотности искривление
траектории волны может оказаться настолько сильным, что волна
возвратится на поверхность Земли на некотором расстоянии от места излучения,
т. е. произойдет отражение радиоволны в ионосфере.
Отражение радиоволн, посланных с поверхности Земли на ионосферу,
происходит не на границе воздух— ионизированный газ, а в толще
ионизированного газа. Отражение может произойти только в той области
ионосферы, где диэлектрическая проницаемость убывает с высотой, а следовательно,
электронная плотность возрастает с высотой, т. е. ниже максимума электронной
плотности ионосферного слоя.
Условие отражения связывает угол падения волны на нижнюю границу
ионосферы с
диэлектрической проницаемостью в толще самой ионосферы en
на той высоте, где происходит отражение волн (рис. 4.3):
(4.8)
Здесь и далее Nэ — электронная плотность, см-3, а частота в кГц.
Чем больше значение Nэ, тем при меньших углах возможно отражение. Угол при котором в данных
условиях еще возможно отражение, называют критическим углом.
Из выражения (4.8) можно определить рабочую частоту при которой волны отразятся
от ионосферы в случае заданных электронной плотности и угле падения:
(4.9)
Если волна нормально падает на ионосферу, то
(4.10)
При нормальном падении волны отражение происходит на
той высоте, где рабочая частота равна собственной частоте ионизированного газа
и, следовательно, e=0. При наклонном
падении на этой высоте могут отразиться радиоволны с более высокой частотой.
Выполняется так называемый закон секанса, заключающийся в том, что при
наклонном падении отражается волна частотой, в sec раз превышающей частоту волны,
отражающейся при вертикальном падении волны на слой заданной электронной
плотности:
(4.11)
Чем больше электронная плотность, тем для более высоких частот
выполняется условие отражения.
Максимальная частота, при которой волна отражается в случае
вертикального падения на ионосферный слой, называется критической
частотой ; отражение
происходит вблизи максимума ионизации слоя:
(4.12)
Сферичность Земли ограничивает максимальный угол q (рис. 4.3)
а следовательно, и максимальные частоты радиоволн, которые могут
отразиться от ионосферы при данной электронной плотности.
4.7. Влияние постоянного
магнитного поля на электрические параметры ионизированного газа (плазмы)
Ионизированный газ ионосферы находится в постоянном магнитном
поле, напряженность которого =40 А/м.
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9
|