|  Фотоэлектрические свойства нитрида алюминия |
Рисунок 1.2. Зонная структура AlN, показанная на
приведенной ЗБ вюрцита.
AlN – прямозонный материал с большой шириной запрещенной зоны. В ранней
литературе этот материал считался непрямозонным, что позже не подтвердилось.
Некоторые численные параметры приведены ниже:
Подвижность: [1]
при Т=290 К
Нитрид
алюминия является весьма полезным материалом для использования его при высоких
температурах. Он слабо подвержен окислению на воздухе при температурах выше 6000С,
а также устойчив к воздействию кислот, расплавленных металлов и водяных паров.
Таким образом, AlN может применяться в высокотемпературных полупроводниковых устройствах.
В статье [4] приводятся результаты экспериментов по измерению температурной
зависимости проводимости AlN при высоких температурах. В экспериментах
использовался чистый (>99%) AlN, измерения проводились на постоянном и
переменном токе в атмосфере азота при давлении от 1 до 10-5
атмосферы. Образцы поликристаллического AlN были получены методом
электрического разряда и спрессованы в графитовом тигле при температуре 16000С
в атмосфере азота.
Зависимость
удельной проводимости AlN в широком интервале температур при давлении азота
равном 1 атм., приведена на рисунке 1.3.1. При температуре ниже 6500С
сильное влияние на результаты оказывают примеси и проводимость на границах
зерен.
Таблица 1.3.1. Значения энергий наиболее
важных переходов в AlN [3].
|
|
Переход
|
Энергия (эВ)
|
|
|
Расчетные данные
|
Экспериментальные данные
|
|
Г6-Г1 ()
|
6.06
|
5.88
(поглощение) 6.1 (отражение)
|
|
Г1-Г1 (//)
|
5.31
|
5.74
(поглощение)
|
|
Г5-Г3
|
9.3
|
9.2
(отражение)
|
|
U3-U3
|
8.5
|
-
|
|
U4-U3
|
8.9
|
-
|
|
M4-M3
|
9.8
|
-
|
|
H3-H3
|
10.1
|
10.1
(отражение)
|
Таблица
1.3.2. Запрещенная зона AlN [5].
|
|
Eg, эВ
|
Т, К
|
Примечания
|
|
6,28
|
5
|
поглощение
эпитаксиальными монокристаллами
|
|
6,2
|
300
|
поглощение
с учетом вклада экситонных
эффектов
вблизи края поглощения
|
|
|
6,28
|
300
|
край
экситонного поглощения, энергия
связи
экситона принимается равной 0.75 эВ
|
|
Таблица
1.3.3. Проводимость AlN [6]
|
s, Ом-1, см-1
|
Т,К
|
Примечания
|
|
10-3
... 10-5
|
290
|
Примесные
кристаллы р-типа (синего цвета)
|
|
10-11
... 10-13
|
300
|
чистые
кристаллы (бесцветные или с оттенком желтого
|
Таблица
1.3.4. Энергия активации проводимости AlN [6].
|
EA, эВ
|
Т, К
|
Примечания
|
|
0,17
|
400
... 700
|
поликристалл,
измерения при постоянном и переменном (1592 Гц) токе
|
|
1,82
|
950
... 1300
|
чистый
монокристалл
|
|
0,5
|
менее
300
|
чистый
монокристалл
|
|
1,4
|
300
... 450
|
|
Рисунок
1.3.1. Проводимость от обратной
температуры для AlN [4].
Поведение
примесей в нитриде алюминия в настоящее врем в достаточной степени не изучено.
Все же попытки получить AlN р-типа проводимости с низким сопротивлением
оказались неудачными, что теоретически не является неожиданным.
Анализ
состава слоев проводили с помощью различных методов: резерфордовского обратного
рассеяния ионов гелия (РОР), рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
(РФЭС), масс-спектрометрии вторичных электронов (МСВИ), искрового анализа.
Наиболее гибкой и достаточно чувствительной оказалась электронная
Оже-спектроскопия (ЭОС), поэтому она применяется наиболее широко. Используемая
во многих работах ИК-спектроскопия имеет существенные ограничения.
Основными
примесями в слоях нитрида алюминия являются кислород и углерод. В частности,
установлено, что в приповерхностном слое AlN концентрация кислорода может
сильно возрастать (рис. 1.3.2.). Глубина обогащенного кислородом подслоя ( с
концентрацией до 25%) колебалась от 0.5 до 15 нм. Наличие такого подслоя,
естественно, сказывается на характеристиках приборов на основе AlN.
Отмечалось
влияние примесей на степень люминесценции и на степень кристаллического
совершенства слоев. Кислород влияет на микроструктуру слоев, диффундирует по
границам зерен, если таковые имеются, и поэтому послойный анализ
текстурированных и поликристаллических слоев в условиях ионного травления не
вполне корректен. Даже малые концентрации кремния в нитриде алюминия нарушали
кристалличность материала и приводили к образованию d-AlN с другими параметрами решетки.
Легирование монокристаллических слоев с целью повышения проводимости затруднено.
Рисунок 1.3.2. Распределение элементов в слое нитрида алюминия по результатам
Оже-спектроскопии [14].
Ионно-химическое распыление. Эта технология используется для осаждения различных оксидов (SiO2),
нитридов (AlN, Si3N4, TiN) и карбидов (SiC, TiC). В
основу положено распыление мишени в реакционном газе и протекание реакций с
образованием соединений на поверхности мишени, на подложке или в пространстве
“мишень-подложка”, где вероятность последнего мала. Два других процесса могут
протекать одновременно. Скорость осаждения и доля газовой компоненты в пленке в
сильной степени зависят от изменения потока реакционного газа. Обычно выделяют
три области: область малых потоков, область больших потоков и переходная
область в которой возникают гистерезисные петли, где зависимость параметров
разряда от потока газа становится неоднозначной, и зависящей, к тому же, от
направления изменения потока. В этом случае процесс становится нестабильным,
что приводит к осаждению слоев неоднородного состава и с невоспроизводимыми
свойствами. Избавиться от этого нежелательного эффекта можно двумя способами. В
первом случае процесс осаждения ведут в условиях повышенных потоков реакционных
газов, обеспечивающих образование сплошного слоя соединения на металлических
мишенях. Такие режимы отличаются стабильностью и высокой воспроизводимостью
свойств осаждаемых пленок. Другим способом является введение обратной связи по
потоку реакционного газа.
Принцип
действия магнетронной распылительной системы иллюстрирует рис. 2.1.1. Основными
элементами устройства являются катод-мишень, анод и магнитная система. Силовые
линии магнитного поля замыкаются между полюсами магнитной системы. При подаче
постоянного напряжения между мишенью и анодом возникает неоднородное
электрическое поле и возбуждается аномальный тлеющий разряд. Наличие замкнутого
магнитного поля у распыляемой поверхности мишени позволяет локализовать плазму
разряда непосредственно у мишени. Эмитированные с катода электроны захватываются
магнитным полем, и им сообщается сложное циклоидальное движение по замкнутым
траекториям у поверхности мишени. Электроны оказываются в ловушке создаваемой с
одной стороны магнитным полем, возвращающим электроны на катод, а с другой -
поверхностью мишени, отталкивающей их. В этой ловушке электроны циклируют до
тех пор пока не произойдет несколько ионизирующих столкновений, в результате
которых электрон теряет полученную от электрического поля энергию. Таким
образом, большая часть энергии электрона прежде чем он попадает на анод,
используется на ионизацию и возбуждение, что значительно увеличивает
эффективность процесса ионизации и приводит к возрастанию концентрации
положительных ионов у поверхности мишени. Это в свою очередь обусловливает увеличение
интенсивности ионной бомбардировки мишени и значительный рост скорости
распыления, а следовательно, и скорости осаждения пленок. Помимо этого МРС
обладает рядом специфических свойств, основными из которых являются снижение
рабочего давления, а также отсутствие бомбардировки подложки высокоэнергетическими
вторичными электронами.
В
результате были получены образцы, конфигурация которых представлена на рисунке
2.1.2.
|
|
Рис.
2.1.1. Механизм ионно-плазменного распыления нитрида
алюминия в магнетронной распылительной системе.
|
Рисунок 2.1.2. Конфигурация
образца нитрида алюминия. (Размеры даны в миллиметрах)
1—контактол;
2 – пленка нитрида алюминия; 3 – алюминиевые контакты
Измерения вольт-амперных характеристик
проводились с помощью установки, электрическая схема которой приведена на
рисунке 2.2.1. Установка состоит из
следующих элементов:
·
Образец, помещенный в измерительную головку;
·
Регулятор напряжения;
·
Источник постоянного напряжения на базе источника
постоянного тока Б5-50;
·
Вольтметр-электрометр универсальный В7-30;
Исследуемый
образец помещается в специально сконструированную измерительную головку (рис.
2.2.2.) Измерительная головка конструктивно состоит из двух частей: верхней и
нижней.
Верхняя
часть головки содержит контакты для подачи питания на образец и площадку для
образца.
Нижняя
часть служит как разветвитель входящих и выходящих проводов.
Как
известно, уровень тока через фоторезистор на основе AlN очень низкий из-за
большого удельного сопротивления материала, а это требует особых условий для
измерения светового, а особенно темнового тока фоторезистора Необходимо свести
к минимуму влияние внешних электромагнитных полей и токов утечки в
измерительной головке. Защита от внешних электромагнитных полей обеспечивается
экранировкой проводов, заземлением стального корпуса головки с защитными
металлическими крышками. Для защиты от токов утечки используется фторопласт, который
практически не дает токов утечки.
Для
измерения уровня токов, в качестве токового прибора используется
вольтметр-электрометр В7-30, диапазон измерения токов которого 10-15
— 10-7 А, а внутреннее сопротивление данного прибора на всех пределах
измерения не превышает одного мегаома. Таким образом, во всем диапазоне
измерения токов падением напряжения на приборе можно пренебречь.
ВАХ
снимались при различных полярностях постоянного напряжения и при разной степени
освещенности.
Рисунок 2.2.1. Электрическая
схема установки для измерения вольт-амперных характеристик.
1 – источник ультрафиолетового излучения; 2
– измерительная головка с образцами; 3 – источник постоянного напряжения; 4 –
электрометр.
Рисунок 2.2.2. Чертеж измерительной головки
Экспериментальная
установка для снятия спектральных характеристик фоторезистора на основе нитрида
алюминия собрана на базе монохроматора МДР-2. Рабочий диапазон спектра —
200-600 нм — обеспечивался дифракционной решеткой с числом штрихов 1200 на 1
мм. Для срезания спектров высшего и низшего порядков использовался светофильтр
БС-5 в области спектра от 360 до 600 нм.
Блок-схема
установки для измерения спектральной зависимости проводимости нитрида алюминия
показана на рис. 2.3. Схема состоит из следующих элементов:
· И — источник излучения;
· Л1, Л2 — фокусирующие линзы;
· Ф — светофильтр;
· Щ — входная и выходная щели;
· 1 — монохроматор МДР-2, обратная линейная дисперсия 2 нм/мм;
· 2 — образец, помещенный в измерительную головку;
· 3 — вольтметр-электрометр В7-30;
· 4 — самописец.
Рисунок 2.3. Блок-схема установки для
измерения спектральных характеристик.
Источником
излучения, которое после некоторых преобразований попадает на образец, служит
водородная лампа ДВС-25.
Для
проектирования излучения на щель монохроматора служит двухлинзовый конденсатор
с фокусным расстоянием 106 мм и световым диаметром 52 мм.
У
входа и выхода монохроматора расположены соответственно входная и выходная
щели, находящиеся на одной прямой. Щели монохроматора симметричные, с
переменной шириной раскрытия в пределах от 0 до 4 мм с точностью до 0.01 мм.
Перед образцом стоит линза для направленной фокусировки монохроматического
света на образец.
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7
|
© 2009 Все права защищены.
Наверх