* Произвольный ввод/вывод данных возможен в пределах 1 страницы.

Ускорить запись данных можно при помощи кэш-регистра объемом 2112 байт. Запись в кэш-регистр может быть произведена во время перезаписи данных из регистра данных в ячейки памяти (во время программирования). После окончания программирования, при наличии данных в кэш регистре, внутренний контроллер микросхемы перепишет данные из кэш-регистра в регистр данных и начнет запись новой страницы.

Устройство реализует функцию автоматического чтения при включении питания, которая обеспечивает последовательный доступ к данным первой страницы после включения питания без ввода команды и адреса.

В дополнение к расширенной архитектуре и интерфейсу устройство включает функцию резервного копирования данных с одной страницы на другую без использования внешней буферной памяти. Т.к. трудоемкие циклы последовательного доступа и ввода данных исключены, то производительность системы для применения в полупроводниковых дисках значительно улучшена.

Устройство может содержать недопустимые блоки при первом использовании. Во время использования микросхемы количество недопустимых блоков может возрасти. Недопустимые блоки - это блоки, которые содержат 1 или более изначально неработоспособных битов, надежность которых не гарантируется компанией Samsung. Устройства с недопустимыми блоками имеют тот же уровень качества и те же динамические и статические характеристики, как и устройства без таких блоков. Недопустимые блоки не влияют на работу нормальных блоков, потому что они изолированы от разрядной шины и общей шины питания транзистором выбора. Система спроектирована таким образом, что у недопустимых блоков блокируются адреса. Соответственно, к некорректным битам попросту нет доступа. Первый блок, помещаемый в 00-й адрес, должен использоваться для хранения загрузочной информации. SAMSUNG уверяет, что он будет гарантированно допустимым, не требующим исправления ошибок в течение 1 Кциклов записи/чтения.

Изначально содержимое всех ячеек микросхемы стерто (FFh), за исключением ячеек, где хранится информация о недопустимых блоках, записанная до этого. Допустимость блока определяется 1-ым байтом запасного пространства. Samsung уверяет, что 1 или 2 страница каждого недопустимого блока по адресу столбца 2048 содержит данные, отличающиеся от FFh. Так как информация о недопустимых блоках является стираемой, то в большинстве случаев стирания ее невозможно восстановить. Поэтому, в системе должен быть заложен алгоритм, способный создать таблицу недопустимых блоков, защищённую от стирания и основанную на первоначальной информации о бракованных блоках. Любое намеренное стирание информации о недопустимых блоках запрещено.

Следовательно есть вероятность выхода из строя блоков микросхемы во время эксплуатации системы, что может привести к потере информации. Для повышения надежности хранения информации следует увеличить объем основного накопитель в два раза до 8 Гб.

3. РАЗРАБОТКА ПРИНЦИПИАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СХЕМЫ

В процессе разработки ПЭС необходимо сопоставить узлам функциональной схемы их электрические эквиваленты. Разделим процесс разработки принципиальной схемы системы на пять этапов:

- микросхема ПЛИС со схемой загрузки;

- микроконтроллер AT89C5131 и USB интерфейс;

- микросхема часов реального времени и ее питание;

- накопитель, повышение быстродействия его работы;

- быстрая промежуточная память.

3.1 Микросхема ПЛИС со схемой загрузки

При реализации функциональных блоков в ПЛИС процесс разработки ПЭС сводится к выделению необходимых внешних линий связи и формирования цепей загрузки ПЛИС. В таблице 3.1 приведены внешние связи, сгруппированные по функциональному признаку, которые будут подключены к пользовательским выводам ПЛИС.

Таблица 3.1 - Перечень необходимых пользовательских контактов микросхемы ПЛИС

Для обеспечения конфигурирования ПЛИС совместим две стандартные схемы конфигурирования, рекомендованные фирмой производителем (ALTERA). Первая схема конфигурации (JTAG-цепочка) позволяет независимо загружать прошивку в конфигурационную микросхему и ПЛИС. Она используется на этапе настройки, проверки и конфигурирования загрузочной памяти. Вторая цепочка (режим пассивной последовательной конфигурации) используется в штатной работе ячейки. При включении питания при ее помощи информация из конфигурационной микросхемы переписывается в ПЛИС.

Элементы D1, D2 образуют JTAG-цепочку, организованную для загрузки элементов в системе. Кроме того JTAG, являясь стандартом периферийного сканирования, позволяет осуществлять проверку (верификацию) загруженной конфигурации ПЛИС и конфигурационного ПЗУ. Схема включения данных элементов подчиняется схеме функционирования JTAG-цепочки /3/ (рисунок 3.1).

Рисунок 3.1 - Схема функционирования JTAG-цепочки

Все резисторы схемы функционирования JTAG-цепочки выбраны номиналом 1 кОм, согласно рекомендации фирмы ALTERA.

На рисунке 3.2 представлена схема для пассивной последовательной конфигурации.

Рисунок 3.2 - Схема для пассивной последовательной конфигурации

Все резисторы схемы для пассивной последовательной конфигурации (рисунок 3.2) выбраны номиналом 1 кОм, согласно рекомендации фирмы ALTERA.

Характеристики выводов конфигурирования приведены в таблице 3.2.

Таблица 3.2 - Перечень характеристик выводов конфигурирования микросхемы ПЛИС

3.2 Контроллер обмена с USB каналом

При построении ПЭС нам необходимо решить три задачи:

- режим работы с внешней памятью, при этом часть двунаправленных портов ввода вывода становятся шинами адреса, шинами данных и сигналами управления. Данный режим нам необходим для согласования микроконтроллера с внешними устройствами;

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7