Меню
Поиск



рефераты скачать Разработка интегральных микросхем


3.2 Расчет параметров диодов

Диоды формируются на основе одного из переходов планарно – эпитаксиальной структуры. Диоды сформированные на основе перехода эмиттер – база, характеризуются наименьшими значениями обратного тока за счет малой площади и самой узкой области объемного заряда. Для других структур значение паразитной емкости характеризуется временем восстановления обратного сопротивления, т.е. временем переключения диода из открытого состояния в закрытое. Оно минимально (около 10 нс) для перехода эмиттер – база, при условии, что переход коллектор – база закорочен, при условии, что переход переход коллектор – база закорочен, так при такой диодной структуре заряд накапливается только в базовом слое. В других структурах заряд  накапливается не только в базе, но и в коллекторе, поэтому время восстановления обратного сопротивления составляет 50…100нс.

  Диод на основе транзисторной структуры с замкнутым переходом база – коллектор предпочтительнее использовать в цифровых ИМС, поскольку он обеспечивает наибольшее быстродействие. Диод на основе перехода эмиттер – база применяют в цифровых схемах в качестве накопительного диода. Диоды с замкнутым  переходом база – эмиттер, имеющие наибольшие напряжения пробоя, могут быть использованы в качестве диодов общего назначения [8, стр. 27,29].


3.2.1 Расчет параметров диода Д242Б


Ширина эмиттера Rэ=3Δ, площадь эмиттера Sэ=300 мкм2

 Длина эмиттера:

                                ;                                                            (1)

                              

                                    

       мкм

Длина базы:

                                                                                             (2)

Значения омических сопротивлений областей транзистора можно оценить по формулам :

                                                     (3)

Ом

                                                        (4)

 Ом

где Кк = 0 для конструкции с одним базовым контактом; ,-удельное поверхностное сопротивление пассивной и активной областей базы, Ом/□; (100 – 300) Ом/□; (1 – 10) кОм/□; hк – толщина коллекторной области , см,(2 -10) мкм; hб – глубина залегания p-n – перехода база – коллектор, см, (1 - 3) мкм; ρк – удельное объемное сопротивление коллекторной области Ом*см; (0,1 – 1)

Ширина базы составляет :

                                                                                                   (5)

где =(0,5 – 2,5) мкм


мкм


Коэффициент переноса  вычисляется по формуле:

                                                         (6)

где - диффузионная длина базы, =(2 – 50) мкм; - концентрация донорной примеси у эмиттерного перехода,

=(0,1–1) * 1018 см; - концентрация донорной примеси в коллекторе, см-3, =(0,05 – 1)*1017 ;

Коэффициенты  ,   и высчитываются по формулам :

                                                            (7)

                                                                                          (8)

 мкм;                                                       

                                                                          (9)

Максимальные напряжения переходов (коллектор – база, эмиттер – база, эмиттер - коллектор) рассчитываются по формулам:

             

                                                                (10)


 В

                                                                    (11)


 В

                                                                              (12)


 В

                  

- концентрация носителей заряда в собственном  полупроводнике.

Инверсный коэффициент передачи транзистора (Bi) можно определить по следующей формуле:

 

(13)

             Емкость перехода коллектор-база  и эмиттер – база определим как:

                                                                                                            

                                                 (14)         


Ф;
                  (15)    

Ф;


       


         

Обратный ток эмиттера определяется по формуле:                              

                                (16)

  А;


            Обратный ток коллектора  определяется по формуле:                              

           (17) 

А;


3.2.2 Расчет параметров диода Д303


Ширина эмиттера Rэ=3Δ, площадь эмиттера Sэ=300 мкм2

 Длина эмиттера:

                                ;                                                            (18)

                             

                                    


       мкм

Длина базы:

                                                                                             (19)

Значения омических сопротивлений областей транзистора можно оценить по формулам :

                                                     (20)



Ом


                                                        (21)

 

  Ом

где Кк = 0 для конструкции с одним базовым контактом; ,-удельное поверхностное сопротивление пассивной и активной областей базы, Ом/□; (100 – 300) Ом/□; (1 – 10) кОм/□; hк – толщина коллекторной области , см,(2 -10) мкм; hб – глубина залегания p-n – перехода база – коллектор, см, (1 - 3) мкм; ρк – удельное объемное сопротивление коллекторной области Ом*см; (0,1 – 1)

Ширина базы составляет :

                                                                                                   (22)

где =(0,5 – 2,5) мкм


Wb= 5E-7 мкм


Коэффициент переноса  вычисляется по формуле:

                                                         (23)

где - диффузионная длина базы, =(2 – 50) мкм; - концентрация донорной примеси у эмиттерного перехода,

=(0,1–1) * 1018 см; - концентрация донорной примеси в коллекторе, см-3, =(0,05 – 1)*1017 ;


Коэффициенты  ,   и высчитываются по формулам :

                                                            (24)


мкм;


                                                                                          (25)

            

          мкм;                                             

                                                                          (26)

Максимальные напряжения переходов (коллектор – база, эмиттер – база, эмиттер - коллектор) рассчитываются по формулам:

             

                                                                (27)


 В

                                                                    (28)


 В



                                                                               (29)



 В



                 

- концентрация носителей заряда в собственном  полупроводнике.

Инверсный коэффициент передачи транзистора (Bi) можно определить по следующей формуле:

 

(13)

             Емкость перехода коллектор-база  и эмиттер – база определим как:

                                                                                                             

                                                 (30)         



(31)    

Ф;


       


         


Обратный ток эмиттера определяется по формуле:                              

                                (32)

 



            Обратный ток коллектора  определяется по формуле:                              


           (33) 

А;

3.3 Расчет параметров резисторов

Резисторы формируют в любом из диффузионных слоев транзисторной структуры (эмиттерная и базовая области), в эпитаксиальном слое (коллекторная область) и с помощью ионного легирования. Вид резистора выбирают, исходя из заданного номинального значения и точности изготовления.

Основным конструктивным параметром диффузионного резистора является величина ρs, которая зависит от режима диффузии. Параметры диффузионного резистора улучшают подбором конфигурации и геометрических размеров.

 Рассчитаем промежуточные и конечные параметры для  резисторов, соответствующих данному курсовому проекту: 4.7кОм, 2.2 кОм, 2.2 кОм, 470 кОм.

Исходными данными для расчетов резисторов являются: R – сопротивление резистора; ΔR – допуск; - поверхностное сопротивление легированного слоя; P0 – максимально допустимая удельная мощность рассеяния; P – среднее значение мощности.

Коэффициент формы резистора:

                                                               ;                                  (1)

               где R – сопротивление резистора, - поверхностное сопротивление легированного слоя;

              Полная относительная погрешность сопротивления:

                                                      (2)

где  - относительная погрешность воспроизведения; относительная погрешность коэффициента формы резистора; температурный коэффициент сопротивления; - температурная погрешность сопротивления, - рабочий диапазон температур,  допуск (разброс параметров).

Минимальная ширина резистора, при которой обеспечивается заданная погрешность геометрических размеров:

                                                             (3)

где - абсолютная погрешность ширины резистивной полоски; - абсолютная погрешность длины резистивной полоски;  - коэффициент формы резистора.

Минимальная ширина резистора, определяемая из максимально допустимой области рассеяния:

                                                                                                      (4)

      где  P0 -  максимально допустимая мощность рассеивания, P – среднее значение мощности.

За расчетную ширину  резистора принимают значение, которое не меньше наибольшего значения одной из трех величин:    т.е.:                                                     


                                                   ;           (5)

Промежуточные значения ширины резистора:

                                                   -,         (6)

где ∆трав – погрешность, вносимая за счёт растравливания окон в маскирующем окисле перед диффузией, ∆y – погрешность, вносимая за счёт ухода диффузионного слоя под маскирующий окисел  в боковую сторону.

Реальная ширина резистора на кристалле:

                                                             -;     (7)

Расчётная длина резисторов:

                                               -        (8)

 где k1 и k2 – поправочные коэффициенты, учитывающие сопротивление контактных площадок и областей резистора, зависящий от конфигурации контактных областей резистора, Nизг – количество изгибов резистора на угол ;

Значение коэффициентов и  обычно равно 2.

Промежуточное значение длины резистора:

                                                       (9)  


Реальная длина резистора на кристалле:

                                                                     (10)

[8. стр. 29-38]

Таблица 3.3.1 Результаты расчета интегральных ионно – легированных  n- типа резисторов.

                      

Параметр

Обозначение резисторов

R1

R2

R3

R4

, Ом/ÿ

1000

1000

1000

1000

, мкм

5

5

5

5

,кОм

4.7

2.2

470

2.2

2×10-3

2×10-3

2×10-3

2×10-3

2.85

1.6

235.5

1.6

4.7

2.2

470

2.2

21.744

31.782

2.174

31.782

0.01

0.01

0.01

0.01

, мкм

21.744

31.782

2.174

31.782

, мкм

20.504

30.542

46.26

30.542

, мкм

21

31

45

31

, мкм

22.24

32.24

46.24

32.24

, мкм

37.808

25.792

2.159×104

25.792

,мкм

39.049

27.032

4333

27.032

Lтоп,мкм

40

28

4335

28

L, мкм

38.76

26.76

4334

26.76

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

,оС

185

185

185

185

/R

0.513

0.561

0.47

0.561


Из таблицы расчетов видно, что резистор R3 номиналом 470 кОм реализовать в интегральном исполнении невозможно, следовательно данный резистор вынесен за пределы кристалла. В микросхеме, как уже было сказано выше, под данный резистор предусмотрено два дополнительных вывода.

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9




Новости
Мои настройки


   рефераты скачать  Наверх  рефераты скачать  

© 2009 Все права защищены.