(5)

где =(0,5 – 2,5) мкм

 мкм

Коэффициент переноса  вычисляется по формуле:

                                                         (6)

где - диффузионная длина базы, =(2 – 50) мкм; - концентрация донорной примеси у эмиттерного перехода,

=(0,1–1) * 1018 см; - концентрация донорной примеси в коллекторе, см-3, =(0,05 – 1)*1017 ;

Коэффициенты  ,   и высчитываются по формулам :

                                                            (7)

мкм;

                                                                                          (8)

                                                                          (9)

Максимальные напряжения переходов (коллектор – база, эмиттер – база, эмиттер - коллектор) рассчитываются по формулам:

                                                                (10)

 В

                                                                    (11)

 В

                                                                               (12)

 В

- концентрация носителей заряда в собственном  полупроводнике.

Инверсный коэффициент передачи транзистора (Bi) можно определить по следующей формуле:

(13)

             Емкость перехода коллектор-база эмиттер – база определим как:

                                                 (14)         

Ф;
                                       (15)    

Ф;

Обратный ток эмиттера определяется по формуле:                              

                 (16)

  А;

            Обратный ток коллектора  определяется по формуле:              

           (17) 

А;

 [8. стр.20-27]

Расчет параметров транзистора, необходимых для реализации транзистора VT1 в интегральном исполнении, показал что длина эмиттера Ze=144 мкм достаточно велика. Отношение параметров Zе/Re>1, следовательно целесообразно длинную эмитерную полоску разделить на несколько коротких эмиттеров, что и было сделано в ходе разработки топологии ИМС.

Решив неравенство   получили, что М=3. Следовательно исходный эмиттер разбиваем на три полоски.

Таблица 3.1.2  Расчетные параметры транзистора КТ805А.

Таблица  3.1.3  Исходные параметры транзистора КТ502Е

Расчет  параметров транзисторов структуры p-n-p практически аналогичен расчету транзисторов структуры n-p-n.

Ширина эмиттера Rэ=3Δ, площадь эмиттера Sэ=300 мкм2

 Длина эмиттера:

                                ;                                                           

 мкм

Длина базы:

                                                                                             (18)

Значения омических сопротивлений областей транзистора можно оценить по формулам :

                                                     (19)

 Ом

                                                        (20)

  Ом

где Кк = 0 для конструкции с одним базовым контактом; ,-удельное поверхностное сопротивление пассивной и активной областей базы, Ом/□; (100 – 300) Ом/□; (1 – 10) кОм/□; hк – толщина коллекторной области , см,(2 -10) мкм; hб – глубина залегания p-n – перехода база – коллектор, см, (1 - 3) мкм; ρк – удельное объемное сопротивление коллекторной области Ом*см; (0,1 – 1)

Ширина базы составляет :

                                                                                                   (21)

где =(0,5 – 2,5) мкм

 мкм

Коэффициент переноса  вычисляется по формуле:

где - диффузионная длина базы, =(2 – 50) мкм; - концентрация донорной примеси у эмиттерного перехода,

=(0,1–1) * 1018 см; - концентрация донорной примеси в коллекторе, см-3, =(0,05 – 1)*1017 ;

Коэффициенты  ,   и высчитываются по формулам :

                                                            (22)

мкм;

                                                                                          (23)

                                                                          (24)

Максимальные напряжения переходов (коллектор – база, эмиттер – база, эмиттер - коллектор) рассчитываются по формулам:

                                                                (25)

 В

                                                                    (26)

 В

                                                                               (27)

 В

- концентрация носителей заряда в собственном  полупроводнике.

Инверсный коэффициент передачи транзистора (Bi) можно определить по следующей формуле:

(30)

             Емкость перехода коллектор-база  и эмиттер – база определим как:

                                                 (31)         

Ф;
(32)    

Ф;

Обратный ток эмиттера определяется по формуле:                              

                                (33)

            Обратный ток коллектора  определяется по формуле:                              

           (34) 

А ; 

     Таблица 3.1.4  Расчетные параметры транзистора КТ502Е

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9