Меню
Поиск



рефераты скачать Проектирование выходного каскада связного передатчика с частотной модуляцией

Мощный

каскад

 

Рис. 2.4 Структурная схема ЧМ передатчика с синтезатором частоты

Таким образом, структурная схема нашего связного ЧМ передатчика вместе с блоками уже имеющимися в схеме на рис. 3.2 своём составе дополнительно содержит:

Ø                Микрофон, который обеспечивает преобразование речевого сообщения в амплитудно-модулированный входной сигнал передатчика;

Ø                Усилитель звуковой частоты, который обеспечивает усиление амплитуды сигнала поступающего с микрофона на управляющий варикап;

Ø                Буферный каскад, необходимый для защиты ГУН, генератора сетки эталонных частот и системы ФАПЧ от влияния на них последующих каскадов;

Ø                Умножитель частоты с коэффициентом умножения частоты n = 2, необходимый для обеспечения требуемой девиации частоты на выходе связного ЧМ передатчика;

Ø                Три блока (каскада) усилителей мощности с коэффициентами усиления по мощности Kp = 10, 12, 5 соответственно, причем мощный оконечный каскад с коэффициентом усиления по мощности равным » 5,119 (см. раздел 3.3 РАСЧЕТ БАЗОВОЙ ЦЕПИ);

Ø                Цепь согласования, обеспечивающую согласование выходного сопротивления оконечного каскада передатчика с входным сопротивлением фидера 75 Ом в заданном диапазоне частот;

Ø                Фильтр нижних частот, обеспечивающий ослабление высших гармоник на 40 дБ вне рабочего диапазона частот передатчика в соответствии с техническим заданием (см. раздел 4 АСЧЁТ ВЫХОДНОГО ФИЛЬТРА).

Поскольку в данной курсовой работе необходимо спроектировать только оконечный мощный каскад связного передатчика с ЧМ, то для конкретизации, входящие в его состав блоки обведены синей пунктирной линией, и именно о них далее пойдёт речь.

3.                электрический расчёт


3.1.         Выбор усилительного полупровдникового прибора


Сложность современных радиоэлектронных систем наряду со специфическими радиотехническими требованиями определяет исключительно высокие к надёжности всех её блоков, в том числе и передатчика. В то же время передатчик в большинстве систем находится в самых неблагоприятных условиях по сравнению с другими блоками: он генерирует значительную мощность, поэтому работа всех его элементов связана с большими токами, напряжениями и значительным рассеиванием тепла.

В мощных каскадах передатчиков из полупроводниковых приборов используют биполярные и полевые транзисторы. Отсутствие цепи накала у транзисторов обуславливает их немедленную готовность к работе, хотя не приводит к заметной экономии электроэнергии питания, так как затраты энергии в цепях накала современных мощных ламп составляют 4…5 % и меньше их номинальной мощности. Недостатки транзисторных передатчиков прежде всего связаны с высокой стоимостью мощных транзисторов из-за чрезвычайно сложной технологией их производства. Меньший (как правило) коэффициент усиления по мощности транзисторов (по сравнению с лампами) приводит к большему числу каскадов, т.е. к дополнительным затратам энергии и мощности, рассеиваемой внутри передатчика. Существенный разброс параметров транзисторов, их температурная зависимость, а также зависимость усилительных свойств от частоты и режима усложняют схему построения передатчиков. Биполярные транзисторы применяют от самых низких частот до, ориентировочно 10 ГГц. Верхняя рабочая частота fв в генераторных транзисторах, как правило, ограничивается его усилительными возможностями, нижняя же частота fн для биполярных транзисторов – опасностью перегрева его структуры за время протекания одного импульса тока и развитием вторичного пробоя. Но к современной связной аппаратуре предъявляются жёсткие требования к уменьшению габаритов массы и повышению технологичности.

Поскольку наш связной передатчик имеет диапазон рабочих частот от 42 до 48 МГц, и небольшую мощность порядка 6 Вт то выбор остановим на биполярном транзисторе.

Для того чтобы выбрать конкретный полупроводниковый прибор воспользуемся таблицей 1.1 в [5] (стр. 20 ‑ 23) где находится справочная информация, необходимая для грамотного выбора транзистора. Отметим, что информация, которую содержат обычные справочники по транзисторам, не годится для осуществления правильного выбора, поскольку по ней нельзя узнать важные (определяющие) параметры транзистора в конкретном режиме, так, например важный параметр rнас (в граничном режиме).

, где  ‑ остаточное напряжение на коллекторе транзистора в граничном режиме, Sгр –  крутизна выходной характеристики транзистора в граничном режиме.

Для оконечного каскада нашего связного передатчика по мощности передатчика, по диапазону рабочих частот подходит целая линейка транзисторов: КТ966А-2, 2Т921А, 2Т951А, 2Т951А, 2Т981А с параметрами:



Тип транзистора

rнас

(rнас ВЧ), Ом

Диапазон рабочих частот, МГц

Р¢н, Вт

Рекомендуемый режим работы

КТ966А-2

5

4…60

>10

Класс А <-58 дБ

2Т921А

1,8 (3,4)

1,5…60

>12,5

Линейный <-30…-39дБ

2Т951В

(10)

30…80

(1,5…>80)

>3

2

Класс В

Линейный <-27…-33дБ

2Т951А

(1,4)

30…80

(1.5…>80)

>25

>15

Класс В

Линейный <-30…-35дБ

2Т981А

0,1

30…80

>50

Класс В


Как видно из выше приведённых некоторых параметров линейки транзисторов наиболее подходящий транзистор для нашего связного передатчика 2Т951А, потому что имеет достаточно большое rнас = 1,4 а также подходит по мощности (с запасом), по диапазону рабочих частот, и по рекомендуемому режиму работы.

Выбранный транзистор имеет следующие параметры:

Таблица 3.1 Параметры выбранного транзистора 2Т951А

Параметр

Пояснение

Значение

Сопротивление материала базы

0,5, Ом

Стабилизирующее сопротивление в цепи эмиттера

0,2, Ом

Rуе

Сопротивление утечки эмиттерного перехода

>0,1, кОм

h21э0

Коэффициент передачи по току в схеме с общим эмиттером ОЭ на постоянном токе

15…100

Граничная частота передачи по току в схеме с ОЭ

150…420, МГц

Ск

Барьерная ёмкость коллекторного перехода при соответствующем напряжении Ек

60…70, пФ при Ек=28, В

Сэ

Барьерная ёмкость эмиттерного перехода при соответствующем напряжении Еэ

600, пФ при Еэ=0, В

Постоянная времени коллекторного перехода

<20 пс при Ек=10, В

Индуктивность вывода эмиттера транзистора

2,8…3,8, нГн

Индуктивность вывода базы транзистора

2,1…3,2, нГн

Индуктивность вывода коллектора транзистора

1,3…3,2, нГн

Eкэ доп

Предельное напряжение на коллекторе

65, В при Екб имп

Eкэ имп

Предельное значение импульсного напряжения на коллекторе

60, В

Eк доп

Допустимое значение питающего напряжения на коллекторе

28, В

Eбэ доп

Допустимое значение обратного напряжения на эмиттерном переходе

4, В

Iк0 доп

Допустимое значение постоянной составляющей коллекторного тока

5, А

Iб0 доп

Допустимое значение постоянной составляющей базового тока

1,0, А

tп доп

Допустимая температура переходов транзистора

200, °C

Rпк

Тепловое сопротивление переход (кристалл) ‑ корпус

2,83, °С/Вт

Экспериментальное значение верхней частоты диапазона

80, Мгц

Кp

Коэффициент усиления по мощности

8,3…25

h

Коэффициент полезного действия

60…80, %

Е¢к

Напряжение коллекторного питания при эксперименте

28, В

Схема включения с ОЭ


Перечисленные в этой таблице параметры, используются при расчёте коллекторной и базовой цепей транзистора.

Расчёт коллекторной цепи можно проводить независимо от схемы включения транзистора, а входной  ‑ раздельно для схем с ОЭ или с ОБ. В нашем случае, для оконечного каскада выбрана однотактная схема ГВВ, а схема включения транзистора – схема с ОЭ.


3.2.         Расчёт коллекторной цепи


Для современных мощных биполярных транзисторов, как правило, оговаривается номинальное напряжение коллекторного питания Ек.п. В нашем случае по техническому заданию питание передатчика осуществляется от сети 220 В 50 Гц, т.е. нет ограничений по питающему напряжению. Поскольку напряжение Ек.п не задано то в мощном каскаде определим его исходя из допустимого Ек доп которое равно 28 В (см. таблицу 3.1). По техническому заданию наш связной передатчик должен выдавать в нагрузку мощность 6 Вт, а выбранный транзистор 2Т951А может обеспечить выходную мощность порядка 15 Вт. Поэтому учитывая то обстоятельство, что транзистор заведомо недоиспользуется по мощности то целесообразно занизить Ек max на 20…30 % по отношению к допустимому значению, что значительно повышает надёжность его работы, хотя и несколько снижает КПД и Кр, а также увеличивает рассеиваемую на нём мощность. Поскольку при выборе питающего напряжения желательно придерживаться стандартного ряда питающих напряжений: 3; 4; 5; 6; 9; 12; 15; 20; 24; 27; 30; 48; 60; 80 то выберем Ек п = 20 В, что соответствует 28,75% -ому занижению Ек max  относительно Ек доп.

Далее расчёт будем вести исходя из номинальной мощности Р1ном при работе транзистора в граничном режиме, поскольку граничный режим можно считать оптимальным на низких и средних частотах (максимальный КПД достигается только в граничном режиме), а также учитывая, что транзистор будет работать в линейном режиме с углом отсечки q = 90° (выбираем такой режим), а схема оконечного каскада передатчика будет строиться по однотактной схеме ГВВ. Для расчёта коллекторной цепи воспользуемся методикой предложенной в [5] стр. 109 ‑ 111. Отметим также, что расчёт необходимо вести по наихудшему случаю, т.е. подставлять в расчётные соотношения значения входящих в них величин (см. таблицу 3.1) при которых обеспечиваются наихудшие условия.

1.                 Величина амплитуды первой гармоники напряжения на коллекторе Uк1 определяется формулой:

(3.2.1)

где Ек – напряжение питания, rнас – сопротивление насыщения, a1(q) – коэффициент разложения косинусоидального импульса, угол отсечки q = 90° , Р1 – номинальная мощность каскада. Для расчёта подставим Ек, уменьшенное относительно напряжения источника питания Еп на 5В, что может быть связано с потерями по постоянному току в блокировочном дросселе, а выходную колебательную мощность передатчика с запасом, т.е.

Р1 ном.= Р1 × 1,25 = 6 ×1,25 = 7,5 Вт

Подставляя численные значения в (3.2.1), получаем:

При этом коэффициент использования напряжения питания составляет:

2.                 Максимальное напряжение на коллекторе не должно превышать допустимого (Uкэ.доп. = 60 В):

 (3.2.2)

3.                 Амплитуда первой гармоники коллекторного тока определяется выражением:

                                               (3.2.3)

Подставляя в (3.2.2) численные значения величин, получаем:

4.                 Величина постоянной составляющей коллекторного тока определяется выражением (1.2.3) и не должна превышать допустимой (IК 0 ДОП = 5,0 А):

 (3.2.4)

коэффициент разложения косинусоидального импульса для постоянной составляющей a0(q) равен 0,319:

5.                 Максимальное значение коллекторного тока составляет:

 (3.2.5)

6.                 Величина максимальной потребляемой мощности от источника питания равна:

 (3.2.6)

7.                 КПД коллекторной цепи при номинальной нагрузке составляет:

Страницы: 1, 2, 3, 4




Новости
Мои настройки


   рефераты скачать  Наверх  рефераты скачать  

© 2009 Все права защищены.