Вибираємо
діоди фірм Fairchild та International Rectifier. 
 
 
 
 
 
Технічні
параметри діодів.                                                    Таблиця
1.6.11 
 
  | 
   Параметри 
   | 
  
   Uзв.,
  В 
   | 
  
   Імакс.,
  А 
   | 
  
   Ізв.,
  мА 
   | 
  
   Fмакс.,
  кГц 
   | 
  
 
  | 
   PSOF107 
   | 
  
   300 
   | 
  
   0.3 
   | 
  
   0.005 
   | 
  
   40 
   | 
  
 
  | 
   1N4937 
   | 
  
   600 
   | 
  
   1.5 
   | 
  
   2 
   | 
  
   150 
   | 
  
 
  | 
   LL4148 
   | 
  
   100 
   | 
  
   0.2 
   | 
  
   0.005 
   | 
  
   300 
   | 
  
 
  | 
   LL414P 
   | 
  
   60 
   | 
  
   0.5 
   | 
  
   0.01 
   | 
  
   300 
   | 
  
 
  | 
   MUR860 
   | 
  
   600 
   | 
  
   10 
   | 
  
   20 
   | 
  
   200 
   | 
  
 
  | 
   MUR31 
   | 
  
   800 
   | 
  
   8 
   | 
  
   2 
   | 
  
   10 
   | 
  
 
  | 
   RUR30100 
   | 
  
   1000 
   | 
  
   30 
   | 
  
   1 
   | 
  
   300 
   | 
  
 
 
 
 
Вибираємо мікросхеми фірм Unitrode,
National Semiconductor, Intersil, STMicroelectronics. 
В якості контролерів живлення 
оберемо UC3842 фірми Unitrode, SG3525 фірми STMicroelectronics. 
 
 
 
В якості мікросхеми стабілізатора
напруги оберемо ІМС фірми STMicroelectronics. 
 
 
 
Технічні параметри мікросхеми інтегрального
стабілізаторів.     Таблиця 1.6.13 
 
  | 
   Тип 
   | 
  
   Вхідна напруга, 
  В 
   | 
  
   Напруга стабілізації, В 
   | 
  
   Вихідний струм, А 
   | 
  
   Температура, °С 
   | 
  
 
  | 
   78M05ST 
   | 
  
   +30 
   | 
  
   +5 
   | 
  
   1.2 
   | 
  
   -55…+125 
   | 
  
 
 
         
1.7. Розрахунок друкованої плати. 
 
1.7.1. Розрахунок
площі друкованої плати.
 
Визначаємо стандартні розміри елементів які
застосовуються і зводимо дані в таблицю. 1.7.1. 
         Розміри елементів та їх сумарна площа.                             
Таблиця. 1.7.1. 
 
  | 
   Назви груп
  компонентів 
   | 
  
   Кіль- 
  кість N,шт 
   | 
  
   Довжина 
  L,мм 
   | 
  
   Ширина 
  В,мм 
   | 
  
   Діаметр 
  D,мм 
   | 
  
   Площа 
  S=L*В,мм2 
   | 
  
   Площа N елем. 
  S*N,мм2 
   | 
  
   Діаметр 
  виводів 
  d,мм 
   | 
  
 
  | 
   1. 
   | 
  
   2. 
   | 
  
   3. 
   | 
  
   4. 
   | 
  
   5. 
   | 
  
   6. 
   | 
  
   7. 
   | 
  
   8. 
   | 
  
 
  | 
   Резистори 
  постійні
  0.25...0.5Вт 
   | 
  
   119 
   | 
  
   4.7 
   | 
  
   1.5 
   | 
  
   
   | 
  
   7.05 
   | 
  
   838.95 
   | 
  
   
   | 
  
 
  | 
   Резистори 
  постійні
  1...2Вт 
   | 
  
   10 
   | 
  
   12 
   | 
  
   5 
   | 
  
   
   | 
  
   60 
   | 
  
   600 
   | 
  
   0.85 
   | 
  
 
  | 
   Резистори
  змінні 
   | 
  
   3 
   | 
  
   3.1 
   | 
  
   3.6 
   | 
  
   
   | 
  
   11.16 
   | 
  
   33.48 
   | 
  
   
   | 
  
 
  | 
   Конденсатори
  керамічні 
   | 
  
   37 
   | 
  
   4.7 
   | 
  
   1.5 
   | 
  
   
   | 
  
   7.05 
   | 
  
   260.85 
   | 
  
   
   | 
  
 
  | 
   Конденсатори
  електролітичні 
   | 
  
   14 
   | 
  
   
   | 
  
   
   | 
  
   16 
   | 
  
   200.96 
   | 
  
   2813 
   | 
  
   
   | 
  
 
  | 
   8 
   | 
  
   
   | 
  
   
   | 
  
   20 
   | 
  
   314 
   | 
  
   2512 
   | 
  
   
   | 
  
 
  | 
   Транзистори 
   | 
  
   17 
   | 
  
   25 
   | 
  
   40 
   | 
  
   
   | 
  
   1000 
   | 
  
   17000 
   | 
  
   1.0 
   | 
  
 
  | 
   Діоди
  малої потужності 
   | 
  
   8 
   | 
  
   4.7 
   | 
  
   1.5 
   | 
  
   
   | 
  
   7.05 
   | 
  
   56.4 
   | 
  
   0.6 
   | 
  
 
  | 
   Діоди
  великої потужності 
   | 
  
   16 
   | 
  
   15 
   | 
  
   20 
   | 
  
   
   | 
  
   300 
   | 
  
   4800 
   | 
  
   1.2 
   | 
  
 
  | 
   Стабілітрони 
   | 
  
   5 
   | 
  
   4.7 
   | 
  
   2 
   | 
  
   
   | 
  
   9.4 
   | 
  
   47 
   | 
  
   
   | 
  
 
  | 
   ІМС SMD 
   | 
  
   6 
   | 
  
   14 
   | 
  
   12 
   | 
  
   
   | 
  
   168 
   | 
  
   1008 
   | 
  
   
   | 
  
 
  | 
   IMC DIP 
   | 
  
   5 
   | 
  
   10 
   | 
  
   8 
   | 
  
   
   | 
  
   80 
   | 
  
   400 
   | 
  
   1.0 
   | 
  
 
  | 
   Дроселі 
   | 
  
   6 
   | 
  
   42 
   | 
  
   22 
   | 
  
   
   | 
  
   924 
   | 
  
   5544 
   | 
  
   1.2 
   | 
  
 
  | 
   Трансформатори
  сигнальні 
   | 
  
   3 
   | 
  
   
   | 
  
   
   | 
  
   15 
   | 
  
   176 
   | 
  
   530 
   | 
  
   1.0 
   | 
  
 
  | 
   Трансформатори
  живлення 
   | 
  
   2 
   | 
  
   70 
   | 
  
   60 
   | 
  
   
   | 
  
   4200 
   | 
  
   8400 
   | 
  
   1.2 
   | 
  
 
  | 
   Вставка
  плавка  
   | 
  
   4 
   | 
  
   30 
   | 
  
   10 
   | 
  
   
   | 
  
   300 
   | 
  
   1200 
   | 
  
   1.2 
   | 
  
 
  | 
   Реле 
   | 
  
   2 
   | 
  
   50 
   | 
  
   20 
   | 
  
   
   | 
  
   1000 
   | 
  
   2000 
   | 
  
   1.0 
   | 
  
 
  | 
   Розєми 
   | 
  
   6 
   | 
  
   20 
   | 
  
   10 
   | 
  
   
   | 
  
   200 
   | 
  
   1200 
   | 
  
   0.85 
   | 
  
 
 
  
З таблиці. 1.7.1. отримали сумарну
площину SСУМ=49233мм2, тоді визначаємо встановлювану
площину всіх елементів на платі, якщо КВСТ=1,2 
 
 
Визначаємо площину друкованої плати, яка
необхідна для установки елементів з врахуванням відстані між елементами і
виводами, а також для забезпечення нормальних теплових режимів роботи, по
формулі якщо коефіцієнт використання, який враховує все вище сказане рівний 
 
КВИК=0,9,
тоді 
 
Визначаємо площу, яка необхідна для розміщення елементів кріплення, що
кріплять плату. Приймаємо, що плата кріпиться шістьма гвинтами М3, якщо під
один болт відводиться площина SБ=100(мм2). 
Визначаємо
загальну величину площини плати 
Виходячи із
отриманої площини плати вибираємо ширину  плати 
L=300(мм), тоді
довжина  рівна 
Приймаємо
рівну В=216(мм). 
 
1.7.2. Розрахунок параметрів металізованих отворів. 
 Виходячи із діаметрів елементів які ставляться на плату визначимо
діаметр металізованого отвору якщо товщина металізованого покриття при
металізації гальванічним методом береться 
mпок=0,05(мм). 
і зазор між
виводом і стінкою металізованого покриття береться 
К=0,2(мм). 
Елементи, які
встановлюються мають шість діаметрів виводів: 
d1=0,5(мм); 
d2=0,6(мм); 
d3=0,8(мм); 
d4=0,85(мм); 
d5=1(мм); 
d6=1,2(мм); 
тоді 
Визначаємо параметри
контактних площадок навколо металізованого отвору якщо контактні площадки
виконуються в вигляді контактного кільця з обох сторін плати. Якщо необхідна
радіальна величина рівна В=0,55, а технологічний коефіцієнт на похибку С=0,1,
тоді: 
Виходячи з отриманих розмірів
металізованих отворів і діаметрів виводів елементів, вибираємо технологічно
обумовлені розміри металізованих отворів і отримані дані записуємо в таблицю 2. 
 
 
Розміри діаметрів отворів і
контактних площадок.          Таблиця 1.7.2.     
 
  | 
   N п/п 
   | 
  
   Діаметр виводу 
  елемента, мм 
   | 
  
   Розраховані дані 
   | 
  
   Стандартні  
   | 
  
 
  | 
   Діаметр отвору, мм 
   | 
  
   Діаметр площадки, мм 
   | 
  
   Діаметр отвору, мм 
   | 
  
   Діаметр площадки, мм 
   | 
  
 
  | 
   1 
   | 
  
   0,5 
   | 
  
   1 
   | 
  
   2,2 
   | 
  
   1 
   | 
  
   2,2 
   | 
  
 
  | 
   2 
   | 
  
   0,6 
   | 
  
   1,1 
   | 
  
   2,3 
   | 
  
   1 
   | 
  
   2,2 
   | 
  
 
  | 
   3 
   | 
  
   0,8 
   | 
  
   1,3 
   | 
  
   2,5 
   | 
  
   1,2 
   | 
  
   2,5 
   | 
  
 
  | 
   4 
   | 
  
   0,85 
   | 
  
   1,35 
   | 
  
   2,55 
   | 
  
   1,2 
   | 
  
   2,5 
   | 
  
 
  | 
   5 
   | 
  
   1 
   | 
  
   1,5 
   | 
  
   2,7 
   | 
  
   1,5 
   | 
  
   2,8 
   | 
  
 
  | 
   6 
   | 
  
   1,2 
   | 
  
   1,7 
   | 
  
   2,9 
   | 
  
   1,8 
   | 
  
   3 
   | 
  
 
1.7.3.
Розрахунок ширини друкованих провідників. 
Ширина друкованих провідників
визначається по максимальному струму для різних кіл схеми, якщо допустима
густина струму JДОП=30(А/мм2), максимальний струм ІМ=8(А),
а товщина металізованого покриття mПОК=0,05(мм), тоді ширина буде
рівна 
А відстань між провідниками
по різниці потенціалів з врахуванням електричних характеристик вибраного метода
виготовлення. В нашій схемі в основному максимально можлива напруга не
перевищує 450(В), відстань між друкованими провідниками рівна 1,8(мм). 
         
1.8. Тепловий розрахунок. 
 
Розрахуємо тепловий режим транзистора
в імпульсному стабілізаторі напруги. 
Повна потужність, що виділяється в
транзисторі під час його роботи при перемиканні визначається за формулою: 
 
                                                  Р=Рпер+Рвід+Ркер+Рв                                   
(1.8.1) 
                                              
де:      Р – повна потужність, що розсіюється; 
 Рпер – втрати потужності
при перемиканні; 
Рвідкр– втрати на
активному опорі відкритого транзистора; 
          Ркер – втрати на керування в
ланцюзі затвора; 
Рв –  втрата потужності за
рахунок витоку в закритому стані. 
             Відразу можна
відзначити, що втрати потужності, що викликані струмом витоку (Рв),
мають дуже маленьке значення, тому ними можна зневажити. Також утрати, що
виникають у ланцюзі керування теж мають дуже малі значення, тому формула
приймає ви 
                           Р=Рпер+Рвідкр.  
,                                                       (1.8.2) 
де 
                 Рвідкр=RDS(on)I2эф.                                                     
(1.8.3) 
                                                                                     (1.8.4) 
            
           
Потужність Рпер
визначається 
                                                            (1.8.5) 
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14 
   
 |