Меню
Поиск



рефераты скачать Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2 (Контрольная)










40










30

Iб0










20










10










0

0,15

0,17

0,19

0,21

0,23

0,25

0,27

0,29

Uбэ0

0,31

Uбэ,В   


Параметры режима покоя (рабочей точки А):

Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В, Iб0= 30 мкА, Uбэ0= 0,28 В


Величина сопротивления :


Определим H–параметры в рабочей точке.



Iк ,

мА    











6











5





 






4





Δ0



           


3













Δ



2










1











0

1

2

3

4

5

Uкэ0

6

7

8

9

Еп   

Uкэ,В   

                                                    ΔUкэ



Iб, мкА










50










40




   Δ






30

Iб0








20










10










0

0,15

0,17

0,19

0,21

0,23

0,25

0,27

0,29

Uбэ0

0,31

Uбэ,В   

                                                                                              ΔUбэ

 



Δ0= 1,1 мА, Δ0 = 10 мкА, ΔUбэ = 0,014 В, Δ = 20 мкА, ΔUкэ= 4 В, ΔIк= 0,3 мА


H-параметры:



Определим G – параметры.


               

                Величины G-параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц:




G-параметр:

G11э= 1,4 мСм,  G12э= - 0,4*10 –6

 

                                           G21э= 0,15 ,        G22э=  4,1*10 –3 Ом





Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора.


 


                Схема Джиаколетто – физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора:


               


Величины элементов физической эквивалентной схемы транзистора и собственная постоянная времени транзистора определяются соотношениями (упрощёнными):



 


Собственная постоянная времени транзистора:


Крутизна:






Определим граничные и предельные частоты транзистора.





Граничная частота коэффициента передачи тока:



 Предельная частота коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эммитером:


Максимальная частота генерации:



Предельная частота коэффициента передачи тока эммитера в схеме с общим эммитером:


Предельная частота проводимости прямой передачи:



Определим сопротивление нагрузки транзистора и построим нагрузочную прямую.



Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току:





                Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя


Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В и точку с координатами:

Iк= 0,  Uкэ= Uкэ0+ Iк0*R~= 4,2 + 3*10 –3 * 847 = 6,7 В


Iк ,

мА    











6











5











4






А






3

0











2











1











0

1

2

3

4

5

Uкэ0

6

7

8

9

Еп   

Uкэ,В   


Определим динамические коэффициенты усиления.



 



Iк ,

мА    











6











5







А






4



           

Δ   


3

0









2










1











0

1

2

3

4

5

Uкэ0

6

7

8

9

Еп   

Uкэ,В   

                                                     ΔUкэ



Iб, мкА










50










40




   Δ






30

Iб0








20










10










0

0,15

0,17

0,19

0,21

0,23

0,25

0,27

0,29

Uбэ0

0,31

Uбэ,В   

                                                                                              ΔUбэ

 



ΔIк= 2,2 мА,  ΔUкэ= 1,9 В,  ΔIб = 20 мкА,  ΔUбэ = 0,014 В



Динамические коэффициенты усиления по току Ки напряжению КU определяются соотношениями:



                              Выводы:


               





Данная работа активизировала самостоятельную работу, развила умение

выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых транзисторов, дала разностороннее представление о конкретных электронных элементах.










Библиографический список.


1)                   “Электронные приборы: учебник для вузов”  Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г..

2)                   Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г.

3)                   Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1969г.

4)                   Справочник “ Полупроводниковые приборы: транзисторы”; М.: Энергоатомиздат, 1985г..

5)                   Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам; М.: Энергия, 1976г..

6)                   Справочник “ Транзисторы для аппаратуры широкого применения  ”; М.: Радио и связь, 1981г..





Страницы: 1, 2




Новости
Мои настройки


   рефераты скачать  Наверх  рефераты скачать  

© 2009 Все права защищены.