|
Параметры режима покоя (рабочей точки А): Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В, Iб0= 30 мкА, Uбэ0= 0,28 В
Величина сопротивления Rб: Определим H–параметры в рабочей точке. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Iк , мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
5 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
4 |
|
|
|
|
ΔIк0 |
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
3 |
|
|
|
|
|
|
|
ΔIк |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 Uкэ0 |
6 |
7 |
8 |
9 Еп |
Uкэ,В |
ΔUкэ
Iб, мкА
50
40
ΔIб
30
Iб0
20
10
0
0,15
0,17
0,19
0,21
0,23
0,25
0,27
0,29
Uбэ0
0,31
Uбэ,В
ΔUбэ
ΔIк0= 1,1 мА, ΔIб0 = 10 мкА, ΔUбэ = 0,014 В, ΔIб = 20 мкА, ΔUкэ= 4 В, ΔIк= 0,3 мА
Определим G – параметры.
Величины G-параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц:
G-параметр:
G11э= 1,4 мСм, G12э= - 0,4*10 –6
G21э= 0,15 , G22э= 4,1*10 –3 Ом
Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора.
Крутизна:
Определим граничные и предельные частоты транзистора.
Предельная частота проводимости прямой передачи:
Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току:
Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя
Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В и точку с координатами:
Iк= 0, Uкэ= Uкэ0+ Iк0*R~= 4,2 + 3*10 –3 * 847 = 6,7 В
Iк ,
мА
6
5
4
А
3
Iк0
2
1
0
1
2
3
4
5
Uкэ0
6
7
8
9
Еп
Uкэ,В
Определим динамические коэффициенты усиления.
Iк ,
мА
6
5
А
4
ΔIк
3
Iк0
2
1
0
1
2
3
4
5
Uкэ0
6
7
8
9
Еп
Uкэ,В
ΔUкэ
Iб, мкА
50
40
ΔIб
30
Iб0
20
10
0
0,15
0,17
0,19
0,21
0,23
0,25
0,27
0,29
Uбэ0
0,31
Uбэ,В
ΔUбэ
ΔIк= 2,2 мА, ΔUкэ= 1,9 В, ΔIб = 20 мкА, ΔUбэ = 0,014 В
Выводы:
Данная работа активизировала самостоятельную работу, развила умение
выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых транзисторов, дала разностороннее представление о конкретных электронных элементах.
Библиографический список.
1) “Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г..
2) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г.
3) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1969г.
4) Справочник “ Полупроводниковые приборы: транзисторы”; М.: Энергоатомиздат, 1985г..
5) Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам; М.: Энергия, 1976г..
6) Справочник “ Транзисторы для аппаратуры широкого применения ”; М.: Радио и связь, 1981г..
Страницы: 1, 2
Новости |
Мои настройки |
|
© 2009 Все права защищены.