|
Так как напряжение питания и мощности дроссельного каскада меньше, чем у каскада с Rк = Rн , то возьмём каскад с дросселем на коллекторе. 2.3.2. Выбор транзистора Выбор транзистора осуществляется исходя из условий: Iк.доп >1,2×Iк0 Uкэ.доп >1,2×Uкэ0 Pк.доп >1,2×Pк0 fт»3¼10×fв , где индекс “доп” означает максимально допустимое значение, Iк – ток коллектора, Uкэ – напряжение между коллектором и эмиттером, Pк – мощность, рассеиваемая на коллекторе, fв – верхняя частота. Подставим численные значения: Iк.доп >0,132 А Uкэ.доп >8,4 В Pк.доп >0,924 Вт fт»600¼2000 МГц Исходя из этих требований, выберем в качестве выходного транзистора транзистор КТ939А. Электрические параметры транзистора КТ939А [1]: Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ (типовое значение): b=113 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ при Uкэ=12В, Iк=200мА: fТ=3060МГц Ёмкость коллекторного перехода при Uкб=12В: СUкэ=3,9пФ Постоянная времени цепи ОС на ВЧ при Uк=10В, Iэ=50мА, f=30МГц: tс=4,6пФ Предельные эксплуатационные данные транзистора КТ939: Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Рк=4Вт Рабочая точка: Iк0=0,11 А Uкэ0=7 В Eп=7 В 2.3.3. Расчёт эквивалентных схем транзистора В данном пункте рассчитываются эквивалентные схемы транзистора, низкочастотная - схема Джиаколетто и высокочастотная – однонаправленная модель. 1). Схема Джиаколетто [2] а). Сначала найдём Сu кэ , чтобы найти Rб. Так как в справочнике Сu кэ найдена при напряжении 12 В, а нам необходима при 10 В, то используем такую формулу: , (2.8) где СUкк1 – ёмкость коллектор-эмиттерного перехода, рассчитанная при Uкэ1, Uкэ2 – напряжение, при котором необходимо найти СUкк2. Подставим численные значения в формулу (2.8): Ф. Теперь найдём Rб по формуле: (2.9) Подставим численные значения: Ом. б). Сопротивление эмиттера Ом. (2.10) Здесь Iэ – в мили Амперах. в). Проводимость база-эмиттер Ом -1. (2.11) г). Ёмкость эмиттерного перехода Ф. (2.12) д). Крутизна (2.13) (2.14) е). Ом. (2.15) ж). В соответствии с формулой (2.8): Ф. Элементы схемы Джиаколетто: gб=0,934 Ом-1 gбэ=16,8×10-3 Ом-1 gi=13,3×10-3 Ом-1 Cэ=100 пФ Ск=5,1 пФ Рисунок 2.5 - Эквивалентная схема Джиаколетто 2). Однонаправленная модель [3] Lвх=Lэ+Lб=0,2+1=1,2 нГн Rвх=rб=1,07 Ом Rвых=Ri=gi –1=75,2 Свых=Ск=5,1 пФ G12ном=(fmax/fтек)2=(3060/200)2=15,32=234,09 Рисунок 2.6 - Однонаправленная модель 2.3.4. Расчет цепей питания и термостабилизации 1). Эмиттерная термостабилизация [4] Найдём мощность, рассеиваемую на Rэ: Рабочая точка: Iк0=0,11 А Uкэ0=7 В Для эффективной термостабилизации падение напряжения на Rэ должно быть порядка 3-5В. Возьмём Uэ=3В. Тогда мощность, рассеиваемая на Rэ определяемая выражением (2.16), равна: PRэ=Iк0×Uэ=0,11×3=0,33 Вт. (2.16) Рисунок 2.7 - Схема оконечного каскада с эмиттерной термостабилизацией Найдём необходимое Еп для данной схемы: Еп=URэ+ Uкэ0+ URк=3+7+0=10 В. (2.17) Рассчитаем Rэ, Rб1, Rб2: Ом, (2.18) мА, (2.19) ток базового делителя: Iд=10×Iб=9,73 мА, (2.20) Ом, (2.21) Ом. (2.22) Найдём Lк, исходя из условий, что на нижней частоте полосы пропускания её сопротивление много больше сопротивления нагрузки. В нашем случае: мкГн. (2.23) 2). Активная коллекторная термостабилизация [4] Рисунок 2.8 – Схема активной коллекторной стабилизации Напряжение UR4 выбирается из условия: В. Возьмём UR4=1,5 В. Рассчитаем мощность, рассеиваемую на R4: PR4=UR4×IК02=1,5×0,11=0,165 Вт. (2.24) Найдём ЕП: ЕП=Uкэ 02+UR4=7+1,5=8,5 В, (2.25) где Uкэ 02 – напряжение в рабочей точке второго транзистора. |
Новости |
Мои настройки |
|
© 2009 Все права защищены.