|
DIP14 Пластик
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Тип микросхемы |
К555ЛА1 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Фирма производитель |
СНГ |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Функциональные особенности |
2 элемента 4И-НЕ |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Uпит |
5В ± 5% |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Uпит (низкого ур-ня) |
≤ 0,5В |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Uпит (высокого ур-ня) |
≥ 2,7В |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Iпотреб (низкий ур-нь Uвых) |
≤ 2,2мА |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Iпотреб (высокий ур-нь Uвых) |
≤ 0,8мА |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Iвых (низкого ур-ня) |
≤ |-0.36|мА |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Iвых (высокого ур-ня) |
≤ 0,02мА |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
P |
7,88мВт |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
tзадержки |
20нСек |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Kразвёртки |
20 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Корпус |
DIP14 |
К555ЛА2
Логический элемент 8И-НЕ
№
выв.
Назначение
№
выв.
Назначение
1
2
3
4
5
6
7
Вход Х1
Вход Х2
Вход Х3
Вход Х4
Вход Х5
Вход Х6
Общий
8
9
10
11
12
13
14
Выход Y1
Свободный
Свободный
Вход Х7
Вход Х8
Свободный
Ucc
DIP14
Пластик
Тип микросхемы
К555ЛА2
Фирма производитель
СНГ
Функциональные особенности
элемент 8И-НЕ
Uпит
5В ± 5%
Uпит (низкого ур-ня)
≤ 0,5В
Uпит (высокого ур-ня)
≥ 2,7В
Iпотреб (низкий ур-нь Uвых)
≤ 1,1мА
Iпотреб (высокий ур-нь Uвых)
≤ 0,5мА
Iвых (низкого ур-ня)
≤ |-0,4|мА
Iвых (высокого ур-ня)
≤ 0,02мА
P
4,2мВт
tзадержки
35нСек
Kразвёртки
Новости |
Мои настройки |
|
© 2009 Все права защищены.