1.Выбираются напряжение эмиттера и ток делителя , а также напряжение питания ;
2. Затем рассчитываются .
Напряжение эмиттера выбирается равным . Ток делителя выбирается равным , где - базовый ток транзистора и
вычисляется по формуле:
мА.
А
Учитывая то, что в коллекторной цепи отсутствует резистор, то напряжение
питания рассчитывается по формуле В. Расчёт величин резисторов производится по
следующим формулам:
Ом;
Ом;
Ом;
3.3.4.2 Активная коллекторная термостабилизация
Активная коллекторная термостабилизация используется в мощных каскадах
и является достаточно эффективной, её схема представлена на рисунке 3.3.10. Её
описание и расчёт можно найти в [5].
Рисунок
3.3.10 Схема активной коллекторной термостабилизации.
В качестве VT1 возьмём КТ814А. Выбираем падение
напряжения на резисторе из
условия (пусть В), тогда . Затем производим
следующий расчёт:
;
(3.3.11)
;
(3.3.12)
; (3.3.13)
;
(3.3.14)
,
(3.3.15)
где –
статический коэффициент передачи тока в схеме с ОБ транзистора КТ814;
;
(3.3.16)
;
(3.3.17)
.
(3.3.18)
Получаем следующие значения:
Ом;
мА;
В;
А;
А;
Ом;
Ом.
Величина индуктивности дросселя выбирается таким образом, чтобы переменная
составляющая тока не заземлялась через источник питания, а величина
блокировочной ёмкости – таким образом, чтобы коллектор транзистора VT1 по переменному току был заземлён.
3.3.4.3 Пассивная коллекторная
термостабилизация
Наиболее экономичной и простейшей из всех схем
термостабилизации является коллекторная стабилизация. Стабилизация положения
точки покоя осуществляется отрицательной параллельной обратной связью по
напряжению, снимаемой с коллектора транзистора. Схема коллекторной
стабилизации представлена на рисунке 3.3.11.
Рисунок
3.3.11 Схема пассивной коллекторной термостабилизации
Рассчитаем основные элементы схемы по следующим формулам:
Выберем напряжение URк=5В и рассчитаем значение сопротивления Rк.
Зная базовый ток рассчитаем сопротивление Rб
Определим рассеиваемую мощность на резисторе Rк
Как было сказано выше, эмиттерную термостабилизацию в мощных
каскадах применять “невыгодно” так как на резисторе, включённом в цепь
эмиттера, расходуется большая мощность. В нашем случае лучше выбрать активную
коллекторную стабилизацию.
3.4
Расчёт входного каскада
3.4.1 Выбор рабочей точки
При расчёте режима предоконечного каскада условимся, что питание всех
каскадов осуществляется от одного источника напряжения с номинальным значением Eп. Так как Eп=Uк0, то соответственно Uк0 во всех каскадах
берётся одинаковое, то есть Uк0(предоконечного к.)=Uк0(выходного к).
Мощность, генерируемая предоконечным каскадом должна быть в коэффициент
усиления выходного каскада вместе с МКЦ(S210)
раз меньше, следовательно, и Iк0,
будет во столько же раз меньше. Исходя из вышесказанного координаты рабочей
точки примут следующие значения: Uк0= 15 В; Iко=0.4/2.058= 0.19 А. Мощность,
рассеиваемая на коллекторе Pк= Uк0 Iк0=2.85
Вт.
3.4.2 Выбор транзистора
Выбор транзистора был произведён в пункте 3.3.5.2 Выбор входного
транзистора осуществляется в соответствии с требованиями, приведенными в пункте
3.3.2. Этим требованиям отвечает транзистор КТ913А. Его основные технические
характеристики приведены ниже.[1]
Электрические параметры:
1.
граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме с ОЭ МГц;
2.
Постоянная времени цепи обратной связи пс;
3.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ ;
4.
Ёмкость коллекторного перехода при В пФ;
5.
Индуктивность вывода базы нГн;
6.
Индуктивность вывода эмиттера нГн.
Предельные эксплуатационные данные:
1.
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер В;
2.
Постоянный ток коллектора А;
3.4.3 Расчёт эквивалентной схемы транзистора
Эквивалентная схема имеет тот же вид, что и схема представленная на
рисунке 3.3. Расчёт её элементов производится по формулам, приведённым в пункте
3.3.3.
нГн;
пФ;
Ом
Ом;
Ом;
пФ.
3.4.4 Расчёт цепи термостабилизации
Для входного каскада также выбрана активная коллекторная
термостабилизация.
В качестве VT1 возьмём КТ814А. Выбираем падение
напряжения на резисторе из
условия (пусть В), тогда . Затем производим
следующий расчёт:
;
(3.3.11)
;
(3.3.12)
;
(3.3.13)
;
(3.3.14)
,
(3.3.15)
где –
статический коэффициент передачи тока в схеме с ОБ транзистора КТ814;
;
(3.3.16)
;
(3.3.17)
.
(3.3.18)
Получаем следующие значения:
Ом;
мА;
В;
А;
А;
Ом;
кОм
3.5 Расчёт корректирующих цепей
3.5.1 Расчёт выходной корректирующей цепи
Расчёт всех КЦ производится в соответствии с методикой описанной в [2].
Схема выходной корректирующей цепи представлена на рисунке 3.12
Рисунок
3.3.12 Схема выходной корректирующей цепи
Выходную корректирующую цепь можно рассчитать с
использованием методики Фано, которая подробно описана в методическом пособии [2].
Зная Свых и fв можно рассчитать элементы L1 и C1 .
Найдём –
выходное сопротивление транзистора нормированное относительно и .
(3.5.1)
.
Теперь по таблице приведённой в [2] найдём ближайшее к рассчитанному
значение и
выберем соответствующие ему нормированные величины элементов КЦ и .
Найдём истинные значения элементов по формулам:
;
(3.5.2)
;
(3.5.3)
. Гн; (3.5.4)
Ф;
3.5.2 Расчёт межкаскадной КЦ
В данном усилителе имеются две МКЦ: между входным
каскадом и каскадом со сложением напряжений и на входе усилителя. Это
корректирующие цепи третьеого порядка. Цепь такого вида обеспечивает реализацию
усилительного каскада с наклоном АЧХ, лежащим в пределах необходимых отклонений
(повышение или понижение) с заданными частотными искажениями [2].
Расчёт межкаскадной корректирующей цепи, находящейся между входным
каскадом и каскадом со сложением напряжений:
Принципиальная схема МКЦ представлена на рисунке 3.3.13
Рисунок
3.3.13. Межкаскадная корректирующая цепь третьего порядка
При расчёте используются однонаправленные модели на ВЧ входного и
предоконечного транзисторов. В схеме со сложением напряжений оба транзистора
выбираются одинаковыми. Возникает задача: выбор предоконечного
транзистора. Обычно его выбирают ориентировочно, и если полученные результаты
будут удовлетворять его оставляют.
Для нашего случая возьмём транзистор КТ913А (VT1), который имеет следующие эквивалентные параметры:
Свых=5.5 пФ
Rвых=55 Ом
И транзистор КТ 934Б (VT2), имеющий следующие
эквивалентные параметры:
Lвх=3.8 нГн
Rвх=0.366 Ом
При расчёте будут использоваться коэффициенты: , , , значения которых берутся исходя
из заданной неравномерности АЧХ. Таблица коэффициентов приведена в методическом
пособии [2] В нашем случае они соответственно равны:
2.31, 1.88, 1.67. Расчет заключается в нахождении нормированных
значений: и подставлении
их в соответствующие формулы, из которых находятся нормированные значения
элементов и преобразуются в действительные значения.
Итак, произведём расчёт, используя следующие формулы:
,
,
= - нормированные значения , , .
Подставим исходные параметры и в результате получим:
Зная это,
рассчитаем следующие коэффициенты:
;
; (2.32)
;
получим:
Отсюда найдем
нормированные значения ,
, и :
где ; (2.33)
;
;
.
При расчете получим:
и в результате:
Рассчитаем
дополнительные параметры:
(2.34)
(2.35)
где S210- коэффициент передачи оконечного каскада.
Для выравнивания АЧХ
в области нижних частот используется резистор , рассчитываемый по формуле:
(2.36)
Найдем истинные значения
остальных элементов по формулам:
,
,
, (2.37)
3.5.3 Расчёт входной КЦ
Схема входной КЦ представлена на рисунке 3.5.14. Её расчёт, а также
табличные значения аналогичны описанным в пункте 3.5.1.
Рисунок
3.5.14 входная коректирующая цепь
Расчитаем входную коректирующую цепь:
,
,
= - нормированные значения , , .
Подставим исходные параметры и в результате получим:
Зная это,
рассчитаем следующие коэффициенты:
;
; (2.32)
;
получим:
Отсюда найдем
нормированные значения ,
, и :
где ; (2.33)
;
;
.
При расчете получим:
и в результате:
Рассчитаем
дополнительные параметры:
(2.34)
(2.35)
где S210- коэффициент передачи оконечного каскада.
Для выравнивания АЧХ
в области нижних частот используется резистор , рассчитываемый по формуле:
(2.36)
Найдем истинные
значения остальных элементов по формулам:
,
,
, (2.37)
На этом расчёт
входного каскада закончен.
3.6 Расчёт разделительных и блокировочных ёмкостей
Дроссель в коллекторной цепи каскадов ставится для того, чтобы выход
транзистора по переменному току не был заземлен. Его величина выбирается исходя
из условия:
.
(3.6.3)
мкГн.
Сопротивление и емкость обратной связи, стоящие в цепи базы выходного
транзистора расчитаем по формулам:
Подставив значения получим:
Разделительные емкости.
Устройство имеет 4 реактивных элемента, вносящих
частотные искажения на низких частотах. Эти элементы – разделительные емкости.
Каждая из этих емкостей по техническому заданию должна вносить не более 0.75 дБ
частотных искажений. Номинал каждой емкости с учетом заданных искажений и обвязывающих
сопротивлений рассчитывается по формуле: (1.38)
где Yн
– заданные
искажения;
R1
и R2
– обвязывающие сопротивления,
Ом; wн – нижняя частота, рад/сек.
Приведем искажения, заданные в
децибелах: ,
(1.39)
где М – частотные искажения, приходящиеся на каскад, Дб. Тогда
Номинал разделительной емкости оконечного каскада:
Номинал разделительной емкости стоящей в цепи коллектора транзистора с
общим эмиттером в каскаде со сложением напряжений:
Номинал разделительной емкости стоящей в цепи
коллектора входного транзистора:
Номинал разделительной емкости входного каскада:
Емкость Сбл найдём из условия:
çXСблç << Rк, где
Rк
– сопротивление стоящее в цепи коллектора транзистора активной коллекторной
термостабилизации представленной на рис.3.3.10.
êХсê=ê1/i×w×Сê=1/w×С
С=1/êХсê×w
Для расчета Сбл возьмем êХсê=0.43 что 500 раз меньше Rк. В итоге получим:
С=1/0.43×2×p×230×106=1.6×10-9
Сбл=1.6 нФ
4. Заключение
Рассчитанный усилитель имеет следующие технические характеристики:
1. Рабочая полоса частот: 49-230 МГц
2. Линейные искажения
в области нижних частот не более 2 дБ
в области верхних частот не более 2 дБ
3. Коэффициент усиления 30дБ с подъёмом области верхних
частот 6 дБ
4. Питание
однополярное, Eп=16 В
5. Диапазон
рабочих температур: от +10 до +60 градусов Цельсия
Усилитель
рассчитан на нагрузку Rн=75 Ом
Усилитель имеет запас по усилению 5дБ, это нужно для того, чтобы в
случае ухудшения, в силу каких либо причин, параметров отдельных элементов
коэффициент передачи усилителя не опускался ниже заданного уровня,
определённого техническим заданием.
|