| Меню |
- Главная
- Юридпсихология
- Этика эстетика
- Электротехника
- Эктеория
- Физика
- Управление персоналом
- Уголовный процесс
- Уголовное право
- Схемотехника
- Стратегический менеджмент
- САПР
- Ресторанно-гостиничный бизнес бытовое обслуживан
- Реклама и PR
- Режущий инструмент
- Неопределено
- Метрология
- Матметоды в эк-ке
- Исторические личности
- Искусство и культура
- Информатика
- Иностранные языки
- Гражданское процессуальное право
- Гражданское право
- Государственное регулирование и налогообложение
- Сонник
- Карта сайта
| Поиск |
 Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) ) | ||
Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) )Техническое задание №6.
Схема логики ИЛИ-НЕ на биполярных транзисторах.
Технология планарно-эпитаксиальная, изоляция элементов слоем n-полупроводника. | ||
|
|
Элемент |
Характеристика |
|
1 |
R1 – R4 |
4,7 кОм ±20% |
|
2 |
R5 |
3,3 кОм ±20% |
|
3 |
C1 – C4 |
20 пФ ±20% Uраб = 4 В, диэлектрик – SiO2 |
|
4 |
T1 – T4 |
Типовый транзистор монолитных ИС, однобазовый полосковый. |
Наверх