Меню
Поиск



рефераты скачать Дослідження особливостей залежності заряду перемикання від прямого струму для епітаксіальних p-i-n структур різних типів та розмірів


4. Експерименти по визначенню заряду перемикання досліджуваних діодів


4.1 Експериментальна установка


Для виконання експериментальних робіт використовується установка, схема якої зазначена на рис 4.1


Рисунок 4.1 - Лабораторна установка для виміру заряду перемикання Qп і спостереження осцилограм напруги і струму при перемикання діода з прямого струму на зворотну напругу

Оскільки основним завданням роботи є вимірювання заряду перемикання, то всі вимірювання приводились при замкнутому ключі , та ключі  переведеному в положення А. В якості діодів  і  використовуються діоди КД510. Розраховані на максимально постійному прямому струмі 200 мА та на прямому імпульсному струмі 1,5 А.

Вимірювання заряду перемикання, як відомо, передбачає виведення накопиченого в досліджуваному діоді заряду в зовнішнє коло необмежено великим струмом при опорі зовнішнього кола близько "0". Наявність конденсатора  у вимірювальній схемі дійсно зводить опір зовнішнього кола в момент виведення накопиченого заряду практично до "0". Але за законом Ома струм у колі навіть при нульовому опорі зовнішнього кола не є нескінченим, а визначається внутрішнім опором джерела ЕРС, в нашому випадку це емітерний підсилювач - блок , з вихідним опором 50 Ом. Тому при максимальній вихідній напрузі 50 В, максимальний струм у колі не буде перевищувати 1 А, що узгоджується з параметрами досліджу вального діода.


4.2 Методика експерименту


Переводимо лабораторну установку в режим виміру заряду перемикання: ключ К1 в положення «ВКЛ», ключ К2 у положення «А».

Встановлюємо досліджуваний діод або p-i-n структуру.

Вибираємо таку частоту імпульсів зворотної напруги, щоб середній зворотній струм можна було виміряти з достатньою точністю.

Для інтервалу прямих струмів від 10 до 120 мА з кроком 10 мА вимірюємо зворотній середній струм та обчислюємо значення  за формулою:


.

Будуємо на комп’ютері за допомогою програми Advanced Grapher графік залежності заряду перемикання від прямого струму .

Виконуємо апроксимацію залежності .

Якщо лінія апроксимації (при ) перетинає вісь  не в нульовій точці, а при якомусь значенні , вносимо поправку на ці величини в таблиці значень.

За отриманими поправленими значеннями обраховуємо величину ефективного часу життя


,


будуємо графіки залежності  та відносної зміни часу життя


,


де  - час життя при початковому струмі діапазону вимірювань.


5. Отримані результати та їх аналіз


Експериментальні дані були отримані для вітчизняних діодів марки КД202, Д226Б, Д242Б та для p-i-n структур, отримані для заряду перемикання та часу життя (рис. 5.1).


Таблиця 5.1-Експериментальні данні

Прямий струм, мА

Середній зворотний струм,мкА, заряд перемикання, нКл та час життя, мкс


КД242 (f=160Гц)

КД202 (f=160Гц)

Д226 (f=5000Гц)


τττ






10

219

21,9

150

15

10

1

20

435

21,75

297

14,85

19

0,95

30

640

21,33

438

14,6

28

0,93

40

843

21,07

570

14,25

36

0,9

50

1033

20,66

696

13,92

44

0,88

60

1222

20,36

819

13,65

51

0,85

70

1399

19,98

933

13,33

58

0,83

80

1574

19,68

1043

13,04

64

0,8

90

1734

19,26

1143

12,73

69

0,77

100

1893

18,93

1242

12,42

74

0,74

110

2047

18,6

1334

12,13

78

0,7

120

2189

18,24

1419

11,83

81

0,68


Рисунок 5.2 -Залежність заряду перемикання від прямого струму для діодів КД242, КД 202 та Д226

Рисунок 5.3 - Залежність часу життя від прямого струму для діодів КД242, КД 202 та Д226


Таблиця 5.2 - Відносна зміна часу життя для діодів Д242, КД202 та Д226

Прямий струм, мА

КД242 (f=160Гц)

КД202 (f=160Гц)

Д226 (f=5000Гц)


τ,мкс

τ,мксτ,мкс





10

21,97

1

15,08

1

0,99

1

20

21,67

0,99

14,8

0,98

0,96

0,97

30

21,34

0,97

14,52

0,96

0,93

0,94

40

21,01

0,96

14,23

0,94

0,9

0,9

50

20,69

0,94

13,95

0,93

0,88

0,89

60

20,35

0,93

13,65

0,9

0,85

0,86

70

20

0,91

13,35

0,89

0,82

0,83

80

19,66

0,89

13,05

0,87

0,8

0,8

90

19,3

0,88

12,75

0,85

0,77

0,77

100

18,95

0,86

12,43

0,83

0,74

0,75

110

18,59

0,85

12,13

0,8

0,7

0,7

120

18,22

0,83

11,8

0,78

0,68

0,69

Рисунок 5.4 - Залежність відносної зміни часу життя від прямого струму для діодів КД242, КД 202 та Д226


Таблиця 5.3 - Заряд перемикання та час життя для дифузійних p-i-n структур

Прямий струм, мА

Заряд перемикання, нКл та час життя, мкс


Дифузійні p-i-n структури(f=100Гц)


Ø10мм

Ø5мм

Ø3мм

Ø1,5мм

Ø1,5мм


τττττ










10

514

51,4

400

40

291

29,1

149

14,9

127

12,7

20

1030

51,4

795

39,75

581

29,05

294

14,7

253

12,65

30

1521

50,7

1165

38,83

855

28,5

432

14,4

370

12,33

40

2013

50,33

1530

38,25

1129

28,23

559

13,98

485

12,13

50

2481

49,62

1871

37,42

1388

27,76

679

13,58

591

11,82

60

2950

49,17

2207

36,78

1645

27,42

795

13,25

695

11,58

70

3406

48,66

2519

35,99

1888

26,97

900

12,86

790

11,29

80

3840

48

2824

35,3

2130

26,63

1001

12,51

883

11,04

90

4262

47,36

3106

34,51

2357

26,19

1092

12,13

968

10,76

100

4683

46,83

3374

33,74

2576

25,76

1176

11,76

1048

10,48

110

5082

46,2

3635

33,05

2793

25,39

1254

11,4

1124

10,22

120

5510

45,92

3874

32,28

2997

24,98

1324

11,03

1193

9,94

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5




Новости
Мои настройки


   рефераты скачать  Наверх  рефераты скачать  

© 2009 Все права защищены.