|
СВ =176 пкФ; ССТ =429 пкФ; СФП=270 пкФ; СГН=393 пкФ; СОС=336 пкФ; ; ; ; ; Для гетинакса подсчитаем: ; ; ; ; ; ; ; ; Расчет погрешностей: ; ; ; ; ;
(так как ). ;
Опыт № 2. Исследование зависимости e = f(E). R=120Ом, f=60 кГц, d=0,002м.
| |||||||||||||||||||
U1, В |
U2, В (воздух) |
U2, В (гетинакс) |
С0, пкФ
|
С, пкФ |
Е, В/м |
e |
||||||||||||||
1 |
0,009 |
0,019 |
200 |
420 |
500 |
2,10 |
||||||||||||||
2 |
0,016 |
0,036 |
177 |
398 |
1000 |
2,24 |
||||||||||||||
3 |
0,025 |
0,052 |
184 |
387 |
1500 |
2,09 |
||||||||||||||
4 |
0,031 |
0,070 |
171 |
384 |
2000 |
2,26 |
||||||||||||||
5 |
0,039 |
0,086 |
172 |
380 |
2500 |
2,21 |
График зависимости e = f(E) - приблизительно прямая, так как диэлектрическая проницаемость не зависит от внешнего поля.
Опыт № 3. Исследование зависимости диэлектрической проницаемости среды от частоты внешнего поля.
U1= 5В, R=120Ом.
f, кГц
U2, В
(воздух)
U2, В
(гетинакс)
ХС, кОм
(гетинакс)
С0, пкФ
С, пкФ
e
20
0,015
0,030
20,0
199
398
2,00
40
0,029
0,059
10,2
192
391
2,04
60
0,041
0,089
6,7
181
393
2,07
80
0,051
0,115
5,2
169
381
2,25
100
0,068
0,146
4,1
180
387
2,15
120
0,078
0,171
3,5
172
378
2,18
140
0,090
0,197
3,0
181
373
2,18
160
0,101
0,223
2,7
167
370
2,21
180
0,115
0,254
2,4
169
374
2,21
200
0,125
0,281
2,2
166
372
2,24
По графику зависимости e = F(f) видно, что диэлектрическая проницаемость среды не зависит от частоты внешнего поля. График зависимости ХС=F(1/f) подтверждает, что емкостное сопротивление зависит от 1/f прямо пропорционально.
Опыт № 4. Исследование зависимости емкости конденсатора от угла перекрытия диэлектрика верхней пластиной.
U1= 5В, R=120Ом, f=60 кГц, d=0,002м, r=0,06м, n=18.
|
a,0
U2,В
С, пкФ
Стеор, пкФ
0
0,039
172
150
10
0,048
212
181
20
0,056
248
212
30
0,063
279
243
40
0,072
318
273
50
0,080
354
304
60
0,089
393
335
Опыт № 5. Измерение толщины диэлектрической прокладки.
U1= 5В, R=120Ом, f=60 кГц.
Схема конденсатора с частичным заполнением диэлектриком.
|
U2 (стеклотекстолит тонкий)=0,051В,
U2 (стеклотекстолит толстый)=0,093В,
U2 (воздух)=0,039В.
С0 =172пкФ - без диэлектрика;
С1 = 411пкФ - стеклотекстолит толстый;
С1 = 225пкФ - стеклотекстолит тонкий.
; ; ; ;
; ; ;
Вывод: На этой работе мы определили диэлектрическую проницаемость и поляризационные характеристики различных диэлектриков, изучили электрические свойства полей, в них исследовали линейность и дисперсность диэлектрических свойств материалов.
Новости |
Мои настройки |
|
© 2009 Все права защищены.