Усилитель приемного блока широкополосного локатора
Министерство образования Российской Федерации
ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)
Кафедра радиоэлектроники и защиты информации (РЗИ)
УСИЛИТЕЛЬ ПРИЁМНОГО
БЛОКА ШИРОКОПОЛОСНОГО ЛОКАТОРА
Пояснительная записка к курсовому проекту по дисциплине
Схемотехника и АЭУ
Студент гр. 148-3
__________Воронцов С.А.
24.04.2001
Руководитель
Доцент кафедры РЗИ
_____________Титов А.А.
_____________
2001
Реферат
Курсовой проект 18 с., 11 рис., 1 табл.
КОЭФФИЦИЕНТ УСИЛЕНИЯ (Кu), АМПЛИТУДНОЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
(АЧХ), ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИЯ, РАЗДЕЛИТЕЛЬНЫЕ ЁМКОСТИ, ДРОССЕЛИ, КОМБИНИРОВАННЫЕ
ОБРАТНЫЕ СВЯЗИ.
Объектом проектирования
является проектирование усилителя приёмного блока широкополосного локатора. Цель
работы – приобретение навыков аналитического расчёта усилителя по заданным к
нему требованиям. В процессе работы производился аналитический расчёт усилителя
и вариантов его исполнения, при этом был произведён анализ различных схем
термостабилизации, рассчитаны эквивалентные модели транзистора, рассмотрены варианты
коллекторной цепи транзистора.
В результате расчета был разработан
широкополосный усилитель с заданными требованиями.
Полученный усилитель может быть использован как усилитель
высокой частоты
в
приёмных устройствах.
Курсовая работа выполнена в текстовом редакторе Microsoft Word 7.0.
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
на курсовое проектирование по курсу “Аналоговые
электронные устройства”
студент гр. 148-3 Воронцов С.А.
Тема проекта: Усилитель приёмного блока
широкополосного локатора.
Исходные данные для проектирования аналогового
устройства.
1. Диапазон частот от 100 МГц до 400 МГц.
2. Допустимые частотные искажения Мн 3 dB, МВ 3 dB.
3. Коэффициент усиления 15 dB.
4. Сопротивление источника сигнала 50 Ом.
5. Амплитуда напряжения на выходе 1 В.
6. Характер и величина нагрузки 50 Ом.
7. Условия эксплуатации (+10 +50)ºС.
8. Дополнительные требования: согласование усилителя
по входу и выходу.
Содержание
1 Введение ------------------------------------------
----------------------------- 5
2 Основная часть ----------------------------------------------------------------
6
2.1 Анализ исходных данных
-------------------------------------------------- 6
2.2 Расчёт оконечного каскада
----------------------------------------------- 6
2.2.1 Расчёт рабочей точки ----------------------------------------------------
6
2.2.2 Расчёт эквивалентных схем замещения транзистора
------------- 9
2.2.2.1 Расчёт параметров схемы Джиаколетто
-------------------------- 9
2.2.2.2 Расчёт однонаправленной модели транзистора
------------------ 9
2.2.3 Расчёт и выбор схемы термостабилизации
--------------------------10
2.2.3.1 Эмитерная термостабилизация
-------------------------------------- 10
2.2.3.2 Пассивная коллекторная
---------------------------------------------- 11
2.2.3.3 Активная коллекторная
----------------------------------------------- 12
3 Расчёт входного каскада по постоянному току
------------------------ 13
3.1 Выбор рабочей точки
------------------------------------------------------ 13
3.2 Выбор транзистора
--------------------------------------------------------- 13
3.3 Расчёт эквивалентной схемы
транзистора------------------------------- 14
3.3.1 Расчёт цепи
термостабилизации-----------------------------------------14
4.1 Расчёт полосы
пропускания выходного каскада-----------------------15
4.2. Расчёт полосы
пропускания входного каскада------------------------ 17
5 Расчёт ёмкостей и дросселей
---------------------------------------------18
6 Заключение
--------------------------------------------------------------------20
7 Список использованных источников----------------------------------------
21
1 Введение
Цель работы – приобретение навыков аналитического
расчёта широкополосного усилителя по заданным к нему требованиям.
Всё более широкие сферы деятельности человека не могут
обойтись без радиолокации. Следовательно, к устройствам радиолокации
предъявляются всё более жёсткие требования. В первую очередь это хорошее
согласование по входу и выходу, хорошая повторяемость характеристик усилителей
при их производстве, без необходимости подстройки, миниатюризация.
Всеми перечисленными выше
свойствами обладают усилители с отрицательными комбинированными обратными
связями [1], что достигается благодаря совместному использованию
последовательной местной и параллельной обратной связи по напряжению
2 Основная часть
2.1 Анализ
исходных данных
Исходя из условий технического задания, наиболее оптимальным вариантом
решения моей задачи будет применение комбинированной обратной связи.[2]
Вследствие того, что у нас будут комбинированные обратные связи,
которые нам дадут хорошее согласование по входу и выходу, в них будет теряться
1/2 выходного напряжения, то возьмём Uвых в 2 раза больше
заданного, т.е. 2В.
2.2 Расчёт оконечного каскада
2.2.1 Расчёт
рабочей точки
Возьмём Uвых в 2 раза больше чем заданное, так как часть выходной
мощности теряется на ООС.[2]
Uвых=2Uвых(заданного)=2 (В)
Расчитаем выходной
ток:
Iвых===0,04 (А)
Расчитаем каскады с
резистором и индуктивностью в цепи коллектора:
Расчёт резистивного каскада при условии Rн=Rк=50 (Ом) рис(2.2.1.1).
Рисунок 2.2.1.1- Резистивный
каскад Рисунок 2.2.1.2- Нагрузочные прямые.
по переменному току.
Расчитаем выходной
ток для каскада с резистором в цепи коллектора:
Iвых~===0,08 (А)
Расчитаем ток и
напряжение в рабочей точке:
Uкэ0=Uвых+Uост, Uост примем равным 2В. (2.2.1)
Iк0=Iвых~+0,1Iвых~
(2.2.2)
Uкэ0=3 (В)
Iк0=0,088 (А)
Расчитаем выходную
мощность:
Pвых===0,04 (Вт)
Напряжение питания
тогда будет:
Eп=Uкэ0+URк=Uкэ0+ Iк0×Rк=7,4 (В)
Найдём потребляемую и
рассеиваемую мощность:
Pрасс=Uкэ0×Iк0=0,264 (Вт)
Рпотр= Eп×Iк0=0,651(Вт)
Для того чтобы больше мощности шло в нагрузку,
в цепь коллектора включаем дроссель.[2]
Расчёт каскада при условии что в цепь
коллектора включен Lк рис(2.2.1.3).
Рисунок 2.2.1.3-
Индуктивный каскад Рисунок 2.2.1.4- Нагрузочные прямые.
по переменному току.
Расчитаем выходной
ток для каскада с индуктивностью в цепи коллектора:
Iвых= ==0,04 (А)
По формулам (2.2.1) и
(2.2.2) расчитаем рабочую точку.
Uкэ0=3 (В)
Iк0=0,044 (А)
Найдём напряжение
питания, выходную, потребляемую и рассеиваемую мощность:
Pвых===0,04 (Вт)
Eп=Uкэ0=3 (В)
Рк расс=Uкэ0×Iк0=0,132 (Вт)
Рпотр= Eп×Iк0=0,132 (Вт)
|
Еп,(В)
|
Ррасс,(Вт)
|
Рпотр,(Вт)
|
Iк0,(А)
|
С Rк
|
7,4
|
0,264
|
0,651
|
0,088
|
С Lк
|
3
|
0,132
|
0,132
|
0,044
|
Таблица 2.2.1.1-
Характеристики вариантов схем коллекторной цепи
Из энергетического расчёта
усилителя видно, что целесообразнее использовать каскад с индуктивностью в цепи
коллектора.
Выбор транзистора
осуществляется с учётом следующих предельных параметров:
1.
граничной
частоты усиления транзистора по току в схеме с ОЭ
;
2.
предельно
допустимого напряжения коллектор-эмиттер
;
3.
предельно
допустимого тока коллектора
;
4.
предельной
мощности, рассеиваемой на коллекторе
.
Этим требованиям полностью
соответствует транзистор КТ996А. Его основные технические характеристики
приведены ниже.
Электрические параметры:
1.
Граничная
частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ МГц;
2.
Постоянная
времени цепи обратной связи пс;
3.
Статический
коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ ;
4.
Ёмкость
коллекторного перехода при В пФ;
5.
Индуктивность
вывода базы нГн;
6.
Индуктивность
вывода эмиттера нГн.
Предельные эксплуатационные
данные:
1.
Постоянное
напряжение коллектор-эмиттер В;
2.
Постоянный
ток коллектора мА;
3. Постоянная
рассеиваемая мощность коллектора Вт;
2.2.2 Расчёт эквивалентных
схем замещения транзистора.
2.2.2.1Расчёт параметров схемы
Джиаколетто.
Рисунок 2.2.2.1.1-
Эквивалентная схема биполярного
транзистора (схема Джиаколетто).
Найдём параметры всех
элементов схемы:[2]
Пересчитаем ёмкость
коллектора из паспортной: Ск(треб)=Ск(пасп)*=1,6×=2,92 (пФ)
Найдём gб=, причём rб= :
rб= =2,875 (Ом); gб==0,347 (Cм);
Для нахождения rэ воспользуемся формулой rэ=, где Iк0 в мА:
rэ= =1,043 (Ом);
Найдём оставшиеся
элементы схемы
gбэ==0,017,где ß0=55 по справочнику;
Cэ==30,5 (пФ),где fТ=5000Мгц по справочнику;
Ri= =100 (Ом), gi=0.01(См),где Uкэ(доп)=20В Iко(доп)=200мА.
2.2.2.2Расчёт
однонаправленной модели транзистора.
Данная модель применяется в области
высоких частот.
Рисунок 2.2.2.2.1-
Однонаправленная модель транзистора.
Параметры эквивалентной
схемы расчитываются по приведённым ниже формулам.[2]
Входная индуктивность:
,
(2.2.2.1)
где –индуктивности выводов базы и
эмиттера.
Входное сопротивление:
,
(2.2.2.2)
где , причём , и – справочные данные.
Выходное сопротивление:
.
(2.2.2.3)
Выходная ёмкость:
.
(2.2.2.4)
В соответствие с этими
формулами получаем следующие значения элементов эквивалентной схемы:
Lвх= Lб+Lэ=1+0,183=1,183 (нГн);
Rвх=rб=2,875 (Ом);
Rвых=Ri=100 (Ом);
Свых=Ск(треб)=2,92 (пФ);
fmax=fт=5 (ГГц)
2.2.3 Расчёт и выбор схемы термостабилизации.
2.2.3.1 Эмитерная термостабилизация.
Эмитерная термостабилизация широко
используется в маломощных каскадах, так как потери мощности в ней при этом не
значительны и её простота исполнения вполне их компенсирует, а также она хорошо
стабилизирует ток коллектора в широком диапазоне температур при напряжении на
эмиттере более 3В.[1]
Рисунок 2.2.3.1.1-
Каскад с эмитерной термостабилизацией.
Рассчитаем параметры
элементов данной схемы.
Uэ=4 (В);
Eп=Uкэ0+Uэ=7 (В);
Rэ= ==90,91 (Ом);
Rб1=, Iд=10×Iб, Iб=, Iд=10× =10×=0,008 (А);
Rб1==264,1 (Ом);
Rб2= =534,1 (Ом).
Наряду с эмитерной
термостабилизацией используются пассивная и активная коллекторная
термостабилизации.[1]
2.2.3.2Пассивная коллекторная
термостабилизация:
Ток базы определяется
Rб. При увеличении тока коллектора напряжение в
точке А падает и следовательно уменьшается ток базы, а это не даёт
увеличиваться дальше току коллектора. Но чтобы стал изменяться ток базы,
напряжение в точке А должно измениться на 10-20%, то есть Rк должно быть очень велико, что оправдывается только в
маломощных каскадах[1].
Рисунок 2.2.3.2.1- Схема пассивной
коллекторной термостабилизации
Rк==159.1(Ом);
URк=7 (В);
Eп=Uкэ0+URк=10 (В);
Iб==0.0008(А);
Rб= =2875 (Ом).
2.2.3.3 Активная
коллекторная термостабилизация.
Можно сделать чтобы Rб зависило от напряжения в точке А см. рис.(2.2.3.2.1).
Получим что при незначительном уменьшении (увеличении) тока коллектора
значительно увеличится (уменьшится) ток базы. И вместо большого Rк можно поставить меньшее на котором бы падало порядка
1В см. рис.(2.2.3.3.1).[1]
b2=100;
Rк===22,73 (Ом);
Eп=Uкэ0+UR=4
(В);
Iд2=10×Iб2=10×=0.00008 (A);
R3==28,75 (кОм);
R1==21,25 (кОм);
R2==4.75 (кОм).
Рисунок 2.2.3.3.1- Активная коллекторная
термостабилизация.
Данная схема
требует значительное количество дополнительных элементов, в том числе и
активных. Если Сф утратит свои свойства, то каскад самовозбудится и будет не усиливать,
а генерировать.Основываясь на проведённом выше анализе схем термостабилизации
выберем эмитерную.
Страницы: 1, 2
|