Меню
Поиск



рефераты скачать Решение контрольной работы по элементной базе радиоэлектронной аппаратуры


Величина сопротивления Rб:

Определим H–параметры в рабочей точке.


Iк ,

мА











6











5





 






4





ΔIк0



 


3













ΔIк



2










1











0

1

2

3

4

5

Uкэ0

6

7

8

9

Еп

Uкэ

 ΔUкэ


Iб, мкА










50










40




 ΔIб






30

Iб0








20










10










0

0,15

0,17

0,19

0,21

0,23

0,25

0,27

0,29

Uбэ0

0,31

Uбэ

ΔUбэ

ΔIк0= 1,1 мА, ΔIб0 = 10 мкА, ΔUбэ = 0,014 В, ΔIб = 20 мкА, ΔUкэ= 4 В, ΔIк= 0,3 мА


H-параметры:


Определим G – параметры.

          Величины G-параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц:


G-параметр:

G11э= 1,4 мСм, G12э= - 0,4*10 –6

G21э= 0,15 , G22э= 4,1*10 –3 Ом


Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора.

Схема Джиаколетто – физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора:


Величины элементов физической эквивалентной схемы транзистора и собственная постоянная времени транзистора определяются соотношениями (упрощёнными):

Собственная постоянная времени транзистора:

Крутизна:



Определим граничные и предельные частоты транзистора.


Граничная частота коэффициента передачи тока:


Предельная частота коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эммитером:


Максимальная частота генерации:

Предельная частота коэффициента передачи тока эммитера в схеме с общим эммитером:

Предельная частота проводимости прямой передачи:


Определим сопротивление нагрузки транзистора и построим нагрузочную прямую.

Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току:


          Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя

Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В и точку с координатами:

Iк= 0, Uкэ= Uкэ0+ Iк0*R~= 4,2 + 3*10 –3 * 847 = 6,7 В


Iк ,

мА











6











5











4






А






3

Iк0











2











1











0

1

2

3

4

5

Uкэ0

6

7

8

9

Еп

Uкэ


Определим динамические коэффициенты усиления.


Iк ,

мА











6











5







А






4



 

ΔIк


3

Iк0









2










1











0

1

2

3

4

5

Uкэ0

6

7

8

9

Еп

Uкэ

 ΔUкэ


Iб, мкА










50










40




 ΔIб






30

Iб0








20










10










0

0,15

0,17

0,19

0,21

0,23

0,25

0,27

0,29

Uбэ0

0,31

Uбэ

ΔUбэ

ΔIк= 2,2 мА, ΔUкэ= 1,9 В, ΔIб = 20 мкА, ΔUбэ = 0,014 В


Динамические коэффициенты усиления по току КI и напряжению

КU определяются соотношениями:

Выводы:


Данная работа активизировала самостоятельную работу, развила умение выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых транзисторов, дала разностороннее представление о конкретных электронных элементах.

Библиографический список.

1)                 “Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г.

2)                 Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г.

3)                 Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1969г.

4)                 Справочник “ Полупроводниковые приборы: транзисторы”; М.: Энергоатомиздат, 1985г.

5)                 Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам; М.: Энергия, 1976г.

6)                 Справочник “ Транзисторы для аппаратуры широкого применения ”; М.: Радио и связь, 1981г.


Страницы: 1, 2




Новости
Мои настройки


   рефераты скачать  Наверх  рефераты скачать  

© 2009 Все права защищены.